Ѕаза знаний студента. –еферат, курсова€, контрольна€, диплом на заказ

курсовые,контрольные,дипломы,рефераты

“ехнологи€ производства  56»≈10 и серии м (с  426 и  224 — “ехнологи€

ѕосмотреть видео по теме –еферата

ћинистерство науки, высшей школы и технической политики –оссийской ‘едерации

ћосковский государственный технический университет

†им Ќ.Ё. Ѕаумана

______________________________________________________________

 алужский филиал

 афедра ѕ6- ‘

ќ “ „ ≈ “

по технологической практике по темам

1.  ристальное производство ћ— 564»≈10†††††††

1.1 ќпераци€ спецокисление

1.2 ќпераци€ удаление фоторезиста в смеси  аро

2. —борочное производство ћ—  425Ќ 1

2.1 ќпераци€ нанесение сло€ компаунда окунанием

†††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††† —тудент гр. ‘“ћ-81 “имофеев ј. ё.

†††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††† –уководитель практики от  ‘ ћ√“”

†††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††† «айончковский ¬. —.

†††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††† –уководители практики от јќ У¬осходФ

†††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††† Ўашкина Ћ. ».

†††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††† Ћадышева ». Ќ.

г.  алуга

1997 г.
— ќ ƒ ≈ – ∆ ј Ќ » ≈

 –»—“јЋ№Ќќ≈ ѕ–ќ»«¬ќƒ—“¬ќ††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††† 3

ќ“„≈“ ѕќ ѕ–ќ¬≈ƒ≈ЌЌџћ Ё — ”–—»яћ†††††††††††††††††††††††††††††† 3

¬¬ќƒЌјя „ј—“№†††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††† 3

ћј–Ў–”“ »«√ќ“ќ¬Ћ≈Ќ»я  –»—“јЋЋј 564»≈10†††††††††††††††† 4

ќѕ≈–ј÷»я —ѕ≈÷ќ »—Ћ≈Ќ»≈††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††† 5

ќборудование.†††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††† 5

ѕодготовка рабочего места и организаци€ трудового процесса.††††††††††††††††††††††††††††††††† 6

“ехнологический процесс.††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††† 7

ќѕ≈–ј÷»я ”ƒјЋ≈Ќ»≈ ‘ќ“ќ–≈«»—“ј ¬ —ћ≈—»  ј–ќ ††††† 9

ќборудование.†††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††† 9

“ребовани€ безопасности.††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††† 9

ѕодготовка рабочего места и организаци€ трудового процесса.††††††††††††††††††††††††††††††††† 10

“ехнологический процесс.††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††† 11

 ќЌ“–ќЋ№ ЁЋ≈ “–»„≈— »’ ѕј–јћ≈“–ќ¬  –»—“јЋЋј 12

ќборудование.†††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††† 12

јлгоритм программы разбраковки.†††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††† 12

—Ѕќ–ќ„Ќќ≈ ѕ–ќ»«¬ќƒ—“¬ќ†††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††† 15

¬¬ќƒЌјя „ј—“№†††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††† 15

ћј–Ў–”“ »«√ќ“ќ¬Ћ≈Ќ»я ћ» –ќ—’≈ћ  425Ќ 1††††††††††††† 16

ќѕ≈–ј÷»я

ЌјЌ≈—≈Ќ»≈ —Ћќя  ќћѕј”Ќƒј ќ ”ЌјЌ»≈ћ ††††††††††††††††††††† 18

ѕодготовка рабочего места.††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††† 18

ќрганизаци€ трудового процесса.††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††† 18

“ехнологический процесс.††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††† 18

“ребовани€ безопасности.††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††† 19

ƒополнительные указани€.†††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††† 19

Ћ»“≈–ј“”–ј†††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††† 21
 –»—“јЋ№Ќќ≈ ѕ–ќ»«¬ќƒ—“¬ќ

ќ“„≈“ ѕќ ѕ–ќ¬≈ƒ≈ЌЌџћ Ё — ”–—»яћ

††††††††††† ¬ ходе практики была проведена экскурси€ в цехе кристального производства, в ходе которой ознакомились со следующими участками:

Ј      ”часток чистой химии;

Ј      ”часток нанесени€ фоторезиста;

Ј      ”часток фотокопии;

Ј      ”часток технохимии;

Ј      ”часток плазмохимического травлени€;

Ј      ”часток диффузии;

Ј      ”часток ионного легировани€;

Ј      ”часток нанесени€ диэлектрических пленок;

Ј      ”часток напылени€;

Ј      ”часток контрол€ электрофизических параметров;

Ј      ”часток испытаний.

¬¬ќƒЌјя „ј—“№

ћикросхема 564»≈10

ћикросхема содержит два отдельных четырехразр€дных двоичных счетчика. “риггеры каждого из них устанавливаютс€ в исходное состо€ние (нулевое) при подаче уровн€ 1 на вход R. “риггеры счетчиков 564»≈10 переключаютс€ в момент спада импульсов положительной пол€рности на входе —– при уровне 0 на входе CN. ¬озможна подача импульсов отрицательной пол€рности на вход CN при† уровне 1 на входе —–. “аким образом, входы CP и CN объединены логической функцией ». ѕри соединении микросхем 564»≈10 в многоразр€дный счетчик с последовательным переносом выводы 8 подключаютс€ к входам —– следующих, а на входы CN подают уровень 0.

Ќа счетчике 564»≈10 можно собрать делитель частоты с коэффициентом делени€ от 2 до 15.

–ис. 1. √рафическое изображение ћ— 564≈»10 ††††† –ис. 2. ¬ременна€ диаграмма работы †††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††† †††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††† счетчика 564»≈10

ћј–Ў–”“ »«√ќ“ќ¬Ћ≈Ќ»я  –»—“јЋЋј 564»≈10

1. ‘ормирование партии пластин.

2. √идромеханическа€ отмывка пластин.

3. ’имическа€ обработка.

††††††††††† —месь  аро (H2SO4+H2O2), перикисьно-амиачна€ смесь. ќборудованиеЧ

лини€ УЋада 125Ф.

4. ќкисление 1.

††††††††††† ”становки —ƒќћ, јƒ—. “емпература 1000ќ—. ќ2+пар.

5. ‘отолитографи€.

††††††††††† ‘ормирование области р-кармана.

††††††††††† 5.1. Ќанесение фоторезиста.

††††††††††† †††††† ‘оторезист Ч ‘ѕ383.

††††††††††† †††††† ”становка ’Ѕ—.

††††††††††† 5.2. —овмещение экспонировани€ пластин Ёћ Ч 576ј.

††††††††††† 5.3. ѕро€вление фоторезиста.

††††††††††† †††††† ѕро€витель Ч едкий калий.

††††††††††† 5.4. ƒубление фоторезиста.

††††††††††† †††††† ”становки УЋадаФ.

††††††††††† 5.5. “равление окисной пленки.

††††††††††† †††††† Ѕуферный травитель.

††††††††††† 5.6.  онтроль.

6. »онное легирование.

††††††††††† Ѕор 1. У арманФ. ”становка УЋада 30Ф.

7. —н€тие фоторезиста.

††††††††††† 7.1. ѕлазма. ”становка У08 ѕ’ќ 100“-001Ф

††††††††††† 7.2. —месь  аро.

8. ’имическа€ обработка.

9. –азгонка бора. У арманФ.

††††††††††† “емпература 1200ќ—. ќ2+азот.

10. ¬тора€ фотолитографи€.

††††††††††† ‘ормирование областей сток- исток р-канальных транзисторов и р+-охраны.

11. »онное легирование.

††††††††††† Ѕор 2 . —ток- исток. ”становка У¬езувий-3ћФ.

12. —н€тие фоторезиста.

††††††††††† ѕлазма и смесь  аро.

13. ’имическа€ обработка.

14. –азгонка бора. —ток- исток.

††††††††††† “емпература 1000ќ—, ќ2+пар.

15. “реть€ фотолитографи€.

††††††††††† ‘ормирование областей сток- истока n-канальных транзисторов и n+-охраны.

16. ’имическа€ обработка.

17. «агонка фосфора (диффузионный метод).

††††††††††† “емпература 900ќ—. ƒиффузант Ч POCl3.

18. —н€тие фосфорселикатного стекла.

††††††††††† HF : H2O =1 :10.

19. –азгонка фосфора.

††††††††††† “емпература 1000ќ—. ќ2+пар.

20. 4я фотолитографи€.

††††††††††† ¬скрытие областей под затвор и контактные окна.

21. ќкисление 2 Ч подзатворный диэлектрик.

††††††††††† “емпература 1000ќ—. ќ2+HCl.

22. —табилизаци€ фосфора.

††††††††††† “емпература 900ќ—. ƒиффузант Ч POCl3.

23. ѕодлегирование.

24. ќтжиг подзатворного диэлектрика.

25. 5я фотолитографи€.

††††††††††† ¬скрытие контактных окон.

26. ’имическа€ обработка.

27. Ќапыление Al+Si.

††††††††††† ”становка Ућагна 2ћФ.

28. 6я фотолитографи€.

††††††††††† ‘ормирование алюминиевой разводки.

29. ¬жигание алюмини€.

††††††††††† “емпература 475ќ— в азоте.

30. Ќанесение защитного окисла.

††††††††††† “емпература 400ќ—. SiH4+O2.

††††††††††† ”становка УјксинФ.

31. 7я фотолитографи€.

††††††††††† ¬скрытие контактных площадок.

32. 8я фотолитографи€.

††††††††††† «ащита пластин фоторезистом.

33.  онтроль ¬ј’ (пробивное напр€жение, пороговое напр€жение, пр€мое напр€жение и др.).

34.  онтроль электрических параметров.

35.  онтроль внешнего вида.

ќѕ≈–ј÷»я —ѕ≈÷ќ »—Ћ≈Ќ»≈

ќборудование.

Ј      система диффузионна€ (см табл. 1)

Ј       стол монтажный —ћ-4 ј2ћќ 238 001 “”

Ј       реактор кварцевый Æ07-0397

Ј       реактор кварцевый Æ07-0541

Ј       крючок кварцевый Æ09-1067

Ј       лодочка кварцева€ Æ09-1216

Ј       подставка Æ09-1215

Ј       стаканчик —¬24/70 √ќ—“ 25 336-82

Ј       пинцет ѕ— 160х3.0 “” 64-1-37-78

Ј       пинцет Æ09-1114

Ј       часы электрические вторичные показывающие ¬„—2-ћ2ѕ¬-400-323  “” 25-67-1503-82

Ј       пластина кремни€ 7590592 10300 00022

Ј       пластина кремни€ спутник 7590592 10300 00022

Ј       водород хлористый сжиженный марки Ё “” 6-01-4689387-42-90

Ј       спирт этиловый ректификованный технический марки УЁкстраФ √ќ—“ 18300-87

Ј       кислород —“ѕ “¬ќ 054 003-89

Ј       азот —“ѕ “¬ќ 054 003-89

Ј       напальчники типа II вида Ѕє4 “” 38.106567-88

Ј       салфетка из мадаполама (350х253) мм 7590592 10301 00043

Ј       салфетка из батиста (150х150) мм 7590592 10301 00045

Ј       пленка полиэтиленова€ марки Ќа, полотно, 0,040х1400, I сорт √ќ—“ 10354-82

ѕодготовка рабочего места и организаци€ трудового процесса.

1.1 ѕодготовку рабочего места и организацию трудового процесса проводить в соответствии с требовани€ми табл. 1.

1.2 “ехнологическую операцию осуществл€ть с соблюдением требований

†“¬ќ 045 954 »ќ“, 17.25351.00003 »ќ“, “¬ќ 045 829 »ќ“, “¬ќ 045 982 »ќ“.

1.3 —облюдать требовани€ производственной гигиены по —“ѕ 17-001-90.

1.4 ѕараметры микроклимата должны соответствовать —“ѕ 17-001-90:

†(1000,10000; 22±2; 50±10).

1.5 ¬рем€ межоперационного хранени€ пластин должно соответствовать требовани€м —“ѕ 17-097-88.

1.6 ѕроверить наличие выт€жной вентил€ции на системе диффузионной, в специальном шкафу дл€ хранени€ баллона перед началом работы с хлористым водородом. ѕроизводить работу с хлористым водородом при выключенной вентил€ции запрещаетс€. ѕри отключении вентил€ции немедленно закрыть вентиль на баллоне† с хлористым водородом.

1.7 ѕродуть кварцевый реактор, оснастку хлористым водородом с расходом(10-15) л/час не менее 30 минут:

1) вначале первой смены;

2) после смены оснастки, трубы;

3) замены баллона с хлористым водородом;

4) если врем€ между процессами превышает 24 часа, с последующей продувкой азотом не менее 10 минут с расходом согласно таблице 2.

1.7.1 ѕеред† включением хлористого водорода продуть линию подачи магистральным азотом† не менее 10 минут с расходом согласно таблице 2.

1.7.1.1 ¬ключить подачу азота, регулиру€ расход натекателем на ротаметре.

1.7.1.2 ќткрыть вентиль подачи азота на линию хлористого водорода (вентиль с маркировкой УN2Ф).

1.7.1.3 ќткрыть вентиль с маркировкой, установить расход (10-15) л/час натекателем на ротаметре. –егулировать давление в магистрали† при необходимости редуктором низкого давлени€ .

1.7.1.4 ¬ыключить продувку азотом, перекрыть вентиль с маркировкой УN2Ф.

1.7.2 ¬ыставить необходимый расход кислорода согласно табл. 2.

1.7.3 ќткрыть в выт€жном шкафу вентиль на баллоне с хлористым водородом поворотом вентил€ против часовой стрелки.

1.7.4 ѕодать хлористый водород† в систему, повернуть вентиль редуктора по часовой стрелке.

1.7.5 ѕроверить расход по ротаметру дл€ подачи хлористого водорода в реактор.

1.7.6 ѕерекрыть вентиль на баллоне с хлористым водородом поворотом вентил€ по часовой стрелке, если расход хлористого водорода выходит за допустимые пределы и повторить переходы п.п. 7.1-7.1.4.

1.7.7 ≈сли не устанавливаетс€ необходимый расход хлористого водорода при повторном включении п.п. 7.3-7.5, закрыть вентиль на баллоне, продуть систему азотом и сообщить об этом технологу, мастеру или начальному участка.  атегорически запрещаетс€ во врем€ работы с хлористым водородом производить регулировку давлени€ в линии с хлористым водородом.

1.8 ћен€ть кварцевые реакторы при отрицательных результатах по напр€жению отсечки, не реже одного раза в квартал.

1.9 ѕроводить контрольный процесс, выполн€€ требовани€ технологической инструкции согласно табл. 1, после смены баллона с хлористым водородом, после смены оснастки реактора и перед каждым процессом, если врем€ между процессами превышает 24 часа.

1.10 ѕроводить процесс без использовани€ экранных пластин.

1.11 ѕроводить оценку контрольного процесса† по напр€жению отсечки согласно вольт-емкостных характеристик по “¬ќ 336 568 “ , 17.60303.00002.

¬ случае отклонени€ от нормы напр€жени€ отсечки, указанный в таблице 2, продуть реактор, оснастку хлористым водородом, провести повторно контрольный процесс, а при отрицательных результатах сменить реактор, оснастку.

1.12 ‘ильтры дл€ очистки хлористого водорода замен€ть ежемес€чно с отметкой о сроке замены и росписью наладчика в журнале.

“ехнологический процесс.

2.1 ѕровести технологический процесс, выполн€€ переходы технологических инструкций согласно табл. 2, в соответствии с требовани€ми таблицы режима соответствующего процесса. ¬о врем€ процесса следить за расходом хлористого водорода, кислорода.

2.2 ѕо окончании технологического процесса:

1) перекрыть вентиль на баллоне с хлористым водородом поворотом вентил€ по часовой стрелке.

2) переключить вентиль на редукторе поворотом против часовой стрелки.

3) продуть систему азотом, выполн€€ переходы п.п. 6.1.

2.3 ѕроизвести измерени€ толщины окисла в соответствии с требовани€ми 17.25202.00004 в трех точках пластины-спутник. “олщина окисла должна соответствовать норме, заданной в таблице 2.

2.4 «аполнить сопроводительный лист† и рабочий журнал.

2.5 √одные пластины передать на следующую операцию.

“абл. 1.

Ќаименование оборудовани€

ќбозначение

ќбозначение документа

—истема диффузионна€† многотрубчата€ —ƒќћ 3Ћ00

ƒ≈ћ1 055 009

17.25001.00006

—истема автоматизированна€ диффузионна€ јƒ—6-100

ƒ≈ћ1 055 001

17.25001.00042


“абл. 2.

“емпература рабочей зоны печи —0, ±1

Ќомер интервала

¬рем€, мин.

Ќаименование временного интервала

Ўифр команд

–асход газов л/час

ќ2 ±30†††††††††††† N2 ± 30†††††††††††† HCl*

“олщина окисла, ј

1

12±1

«агрузка

9,13

270

-

-

2

10±1

–абочий режим

9

270

-

-

3

0.3¸0.5

—игнализаци€

9,12

270

-

-

4

90±40

–абочий режим

9

270

-

10-15

1000

5

0.3¸0.5

—игнализаци€

9,12

270

-

10-15

800¸1100 ј

6

10¸90

–абочий режим

6

-

300

-

7

12±1

¬ыгрузка

6,14

-

300

-

8

0.3¸0.5

—игнализаци€

6,12

-

300

-

9

ћежду процессами

ѕродувка

9

270

-

-


ќѕ≈–ј÷»я ”ƒјЋ≈Ќ»≈ ‘ќ“ќ–≈«»—“ј ¬ —ћ≈—»  ј–ќ

ќборудование.

Ј      установка химической обработки ў÷ћ« 240 212

Ј      нагреватель ультрачистых сред ў÷ћ« 031 173

Ј      кассета Æ07-0518

Ј      тара межоперационна€ ў»“ - 725

Ј      пинцет Æ09-1114

Ј      держатель Æ03-0767

Ј      стекло 093-2,  Ћ.2, штабик 50 ќ—“ 11 110735 002-73

Ј      нарукавники полиэтиленовые “” 95 7037-73

Ј      термометр жидкостной стекл€нный тип ј √ќ—“ 28 498-90

Ј      пластина со структурами 17.10201.00024

Ј      водорода перекись 17.10201.00022

Ј      кислота серна€ 17.10201.00024

Ј      вода деионизованна€ марка ј “¬ќ 029 001 ћ -02

Ј      спирт этиловый ректификованный технический марка УЁкстраФ √ќ—“ 18300-87

Ј      перчатки резиновые† ј7-10 √ќ—“ 3-88

Ј      салфетка из мадаполама “¬ќ 054 115 ћ -01

Ј      салфетка из батиста “¬ќ 054 108 ћ -02

Ќасто€ща€ карта устанавливает пор€док проведени€ процесса удалени€ пленок фоторезиста с кремниевых пластин, не имеющих металлических покрытий, в серной кислоте, а затем в смеси серной кислоты и перекиси водорода (смеси  аро).

“ребовани€ безопасности.

1.1 ѕри проведении данного процесса возможны следующие виды опасности:

††††††††††† 1) химические ожоги;

††††††††††† 2) отравлени€;

††††††††††† 3) электроопасность;

††††††††††† 4) термоопасность;

††††††††††† 5) порезы.

1.2 »сточниками химических ожогов €вл€ютс€ серна€ кислота, перекись водорода и их смеси, а также их пары при попадании на кожу и в организм человека.

1.3 »сточником электроопасности† €вл€етс€ установка химической обработки с незащищенной электропроводкой и заземлением.

1.4 »сточником термоопасности €вл€етс€ нагрета€ смесь серной кислоты и перекиси водорода и подогрета€ деионизованна€ вода.

1.5 »сточником порезов может быть примен€ема€ стекл€нна€ оснастка со сколами и трещинами.

1.6 ¬о избежание химических ожогов и отравлений выполн€ть требовани€ изложенные в “¬ќ 045 039 “».

1.6.1 –аботу со смесью перекиси водорода и серной кислоты на установке проводить только при закрытых шторках, в резиновых перчатках одноразового использовани€, в нарукавниках и фартуке.

1.6.2 Ќа рабочем месте не должно быть предметов не относ€щихс€ денной операции, наличие органических веществ и других реактивов, не предусмотренных картой, так как перекись водорода €вл€етс€ сильным окислителем.

1.7 ¬о избежание термоопасности не касатьс€ руками гор€чих частей оборудовани€ и гор€чих растворов.

1.8 ¬о избежание порезов необходимо быть внимательным† и осторожным при использовании оснастки из стекла.

¬ случае бо€ стекл€нной оснастки собрать крупные осколки сухой салфеткой, а мелкие влажной и выбросить в урну.

1.9 ѕри возникновении аварийной ситуации† немедленно отключить технологический блок тумблером, расположенным на нижней панели управлени€, поставив его в положение ќ“ Ћ, затем вызвать наладчика, сообщить мастеру.

ѕодготовка рабочего места и организаци€ трудового процесса.

2.1 ”бедитесь по записи в журнале, что производственна€ гигиена† рабочего места и участка соответствует 17.25101.00002.

2.2 ”бедитьс€ по журналу готовности оборудовани€, что установка химической обработки пластин и установка контрол€ проверены и подготовлены к работе наладчиком.

Ѕез подписи наладчика к работе† не приступать, сообщить мастеру.

2.3 Ќадеть перед началом работы вне рабочей зоны† полиэтиленовые нарукавники и резиновые перчатки.

ѕромыть руки в перчатках деионизованной водой и осушить салфеткой.

2.4 ѕроводить ежедневно в начале смены протирку влажной салфеткой† из мадаполама внешних поверхностей† установки† и решетки выт€жки слива.

Ќа лицевой панели установки должна быть надпись, указывающа€ назначение операции и наименование используемого раствора.

2.5 ѕромыть рабочие ванны и наход€щиес€ в них нагреватели, решетки и крышки деионизированной водой из шланга.

2.6 —лить воду из рабочих ванн, открыв вентили слива. ”бедитьс€ в том, что вода полностью удалена из ванн.

2.7  онтролировать расход вод деионизированной по ротаметру, он должен составл€ть (4±1) л/мин на одну установку.

2.8 ѕриготовить смесь серной кислоты перекиси водорода в двух рабочих ваннах установки.

2.8.1 Ќалить на дно первой ванны 25-50 мл перекиси водорода, открыв кран на передней панели установки с надписью перекись водорода на 1-2 с. «акрыть кран.

2.8.2 Ќалить в первую ванну 6 л серной кислоты, открыв кран на передней панели установки с надписью серна€ кислота, до верхней отметки на стенки ванны. «акрыть кран.

2.8.3 Ќалить во вторую ванну 1.8 л перекиси водорода, открыв кран на передней панели установки с надписью перекись водорода, до нижней отметки на стенке ванны. «акрыть кран.

2.8.4 Ќалить во вторую ванну 4.2 л серной кислоты, открыв кран на передней панели установки с надписью серна€ кислота, до верхней отметки на стенки ванны. «акрыть кран.

2.8.5 ѕеремешать приготовленную смесь  аро с помощью стекл€нной палочки. «акрыть ванны крышками.

2.8.6 ¬ыставить на реле времени врем€ обработки в первой рабочей ванне† (с серной кислотой) 5† минут, во второй рабочей ванне (со смесью  аро) 3 минуты.

2.9 «аполнить промежуточную ванну деионизованной водой, открыв кран.

2.10 ѕроверить термометром температуру гор€чей деионизованной воды в промежуточной ванне. ќна должна быть (65±5)0—.

≈сли гор€ча€ вода в ванне не соответствует указанной температуре, работу остановить, сообщить неполадку.

2.11 ѕолучить в кассете пластины, предназначенные дл€ данной операции. ”бедитьс€ по сопроводительному листу, что полученные пластины предназначены дл€ данной операции и что проведены предыдущие операции.

2.12 ѕри измерении объемов жидких материалов допустимое отклонение обеспечиваетс€ имеющимис€ средствами измерени€.

“ехнологический процесс.

3.1 ¬ключить нагреватель ванн соответствующими тумблерами автомата Ќј√–≈¬ј“≈Ћ№, поставив тумблеры в верхнее положение, при этом должны загоретьс€ сигнальные лампочки.

3.2† Ќагреть серную кислоту (в первой ванне) и смесь  аро (во второй ванне) до температуры (150±10)0—.

ѕри достижении технологической температуры загораетс€ сигнальна€ лампочка регул€тора температуры.

3.3 ќткрыть крышки ванн.

3.4 ”бедитьс€ с помощью термометра, что температура нагретой серной кислоты и смеси  аро соответствуют заданной.

¬ случае несоответстви€ температур по регул€тору и термометру на величину, превышающую 100—, вызвать наладчика дл€ устранени€ несоответстви€.

–азрешаетс€ начинать обработку пластин при температуре 1200—.

3.5 ќпустить кассету с пластинами с помощью ручки в ванну с нагретой серной кислотой.

ѕогружение кассет с пластинами проводить медленно. ѕри возникновении бурной реакции при растворении фоторезиста подн€ть кассету. —ледить за тем, чтобы пластины в процессе погружени€ остались в пазах кассеты.

3.6 ¬ключить реле времени первой рабочей ванны.

3.7 »звлечь кассету с пластинами с помощью ручки из первой ванны при загорании красной сигнальной лампочки.

¬ одной порции серной кислоты обрабатывать не более 1500 пластин.

ѕри обработке пластин в первой рабочей ванне в серной кислоте после обработки каждых 250 пластин доливать серную кислоту 150-200 мл до уровн€ верхней отметки на стенке ванны.

3.8 ѕереставить кассету с пластинами во вторую рабочую ванну со смесью  аро.

3.9 ¬ключить реле времени второй рабочей ванны.

3.10 »звлечь кассету с пластинами с помощью ручки из второй ванны при загорании† красной сигнальной лампочки.

¬ одной порции смеси  аро† обрабатывать не более 300 пластин.

ѕосле обработки 100 пластин осторожно доливать в ванну со смесью  аро (200±50) мл перекиси водорода. —ледующую доливку делать после обработки каждых 50 пластин.

3.11 ¬ыдержать пластины в кассете в рабочем объеме в течении 1-2 минут.

3.12 ѕоместить кассету с пластинами в ванну с гор€чей деионизованной водой.

3.13 ѕромыть пластины в ванне с гор€чей деионизованной водой в течении 1-2 минут.

3.14 ѕеренести кассету с пластинами† из промежуточной ванны в ванну каскадной промывки.

3.15 ѕроводить отмывку пластин в деионизованной воде в первой и во второй ваннах каскада в течении 2-3 минут в каждой ванне. ¬ третьей ванне каскада выдержать до снижени€ сопротивлени€ сливной воды 3 ћомЈсм по прибору контрол€ сопротивлени€ деионизованной воды.

3.16 ѕеренести кассету с пластинами на сушку пластин по “¬ќ 734 618 “ј   ј  по окончании отмывки пластин.

3.17 ѕередать обработанные пластины в кассете на следующую операцию, заполнив сопроводительный лист.

3.18 ќтключить по окончании работы нагреватели ванн, поставив тумблер блока управлени€ Ќј√–≈¬ј“≈Ћ№ в нижнее положение.

3.19 —лить серную кислоту и смесь  аро из рабочих ванн, открыв кран слива и предварительно охладив их до (80-50) 0—.

ѕеред сливом серной кислоты добавить в ванну 200 мл перекиси водорода.

3.20 ѕромыть рабочие ванны, наход€щиес€ в них решетки и нагреватели, деионизованной водой из шланга.

3.21 «акрыть вентили слива и закрыть рабочие ванны крышками.

3.22 ѕротереть стол установки, крышки ванн салфеткой из мадаполама.

3.23 ќтключить технологический блок. ѕроводить отмывку оснастки и ванн установки не реже одного раза в неделю. –азрешаетс€ одновременно обрабатывать по две кассеты с пластинами.

 ќЌ“–ќЋ№ ЁЋ≈ “–»„≈— »’ ѕј–јћ≈“–ќ¬  –»—“јЋЋј

ќборудование

Ј      система измерительна€ Ќ2001 (У»нтегралФ);

Ј      зонд измерительный ќћ6010;

јлгоритм программы разбраковки

јлгоритм программы разбраковки кристаллов 564»≈10 приведен в табл. 4.


–ис.3.

“абл. 3.

наименование элементов структуры

условное обозначение

тип

пр-ти

материал сло€

††††††††††††††††††††††† наименовани円††††††††††††††††††††††††††††††† √ќ—“, ќ—“, “”

сопротивление

сло€ rs=ќм/„

толщина сло€, глубина диффузии мкм

защитный слой

Ќ1

-

SiO2 термический

-

-

0.4±0.05

диффузионный карман n-канальнх транзисторов

Ќ2

p

трехфтористый бор

ќ—“ 6-02-4-83

750-1500

9±1.5

защитный слой

Ќ3

-

SiO2 термический

-

-

0.3±0.05

области стока, истока

Ќ4

p+

трехфтористый бор

ќ—“ 6-02-4-83

£110

1.7±0.5

защитный слой

Ќ5

-

SiO2 термический

-

-

0.4±0.05

области стока, истока

Ќ6

n+

фосфор-хлор окись

“”-09-3537-85

£40

2±0.5

защитный слой

Ќ7

-

SiO2 термический

-

-

0.35±0.05

диэлектрик затвора

Ќ8

-

SiO2 термический

-

-

0.1+0.01-0.02

контактные окна

-

-

-

-

-

- - - - - - -

контактные площадки и проводники

Ќ9

-

заготовки 270х120х28

яе 0.021,157 “”

-

1.2±0.1

защитный слой

Ќ10

-

смесь газова€ аргона с моносиланом

фоторезист ‘ѕ-383

“”6-02-1228-82

“”6-74-632-86

-

-

0.8±0.1

1.3±0.2

“абл. 4. Ќормы параметров 564 »≈10

наименование

нормы цеха

погрешность

режим измерени€

номер

параметра

не менее

не более

%

Ucc,B

Uo,B

Uoпор,B

UIпор,B

UIa,B

UIH,B

теста

проверка контактир.,¬

-

/-2/

-

-

-

-

-

-

-

1-16

Uпроб,B

15.0

-

±5

-

-

-

-

-

-

17,18

IIa,мкј

-

0.06

±40

15

-

-

-

0

15

51-56

IIH,мкј

-

0.06

±40

15

-

-

-

0

57-62

Icc,мкј

-

8.0

±5

15

-

-

-

0

15

63-93

Ioa,мј

1.35

-

±5

10

0.5

-

-

0

10

27-34

Ioa,мј

0.53

-

±5

5

0.4

-

-

0

5

19-26

IoH,мј

0.75

-

±5

10

9.5

-

-

0

10

43-50

IoH,мј

0.63

-

±5

5

5

-

-

0

5

35-42

Uоa,B

-

0.008

±40

10

-

-

-

0

10

102-109

UoH,B

-0.008

-

±40

0

-

-

-

-10

0

110-118

Uoa max,B

-

0.6

±5

5

-

1.7

3.3

-

-

119-127

UoH min,B

4.65

-

±5

5

-

1.7

3.3

-

-

128-134

Jcc,мкј

-

5.0

-

-

-

-

-

-

-

94,96,98,100

Jcc,мкј

5.0

-

-

-

-

-

-

-

-

95,97,99,101


—Ѕќ–ќ„Ќќ≈ ѕ–ќ»«¬ќƒ—“¬ќ

¬¬ќƒЌјя „ј—“№

ћикросхема  425Ќ 1

ћикросхема интегральна€  425Ќ 1 предназначена дл€ работы в блоке управлени€ экономайзера автомобил€, изготавливаемого дл€ народного хоз€йства.

††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††† ††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††††† –ис. 4. —хема расположени€ выводов

Ќумераци€ выводов показана условно.

 люч У=>Ф показывает направление отсчета выводов.

масса не более 3г.

“абл. 5 . Ќазначение выводов.

Ќомер вывода

Ќазначение вывода

1

¬ывод резистора R9

2

“очка соединени€ резисторов R4 и R5

3

“очка соединени€ резисторов R5 и R6

4

“очка соединени€ резисторов R6 и R7

5

“очка соединени€ резисторов R1 и R2

6

“очка соединени€ резисторов R4 и R9

7

“очка соединени€ резисторов R2 и R3

8

¬ывод резистора R3

9

¬ывод резистора R8


“абл. 6. ќсновные электрические параметры (при температуре 25±100—).

Ќаименование параметра, режим измерени€, единица измерени€

Ѕуквенное обозначение

не менее

не более

—опротивление,  ќм

R1

27.0

33.0

—опротивление,  ќм

R2

0.612

0.748

—опротивление,  ќм

R3

0.459

0.561

—опротивление,  ќм

R4

0.501

0.612

—опротивление,  ќм

R5

0.225

0.275

—опротивление,  ќм

R6

0.844

1.032

—опротивление,  ќм

R9

0.577

0.705

—опротивление,  ќм

R7+R8

2.44

2.98

¬ыходное напр€жение, ¬ (при входном напр€жении форма сигнала синусоида, амплитуда 10¬, частота 3390 √ц)

Uвых.5

2.7

8.0

¬ыходное напр€жение, ¬ (при входном напр€жении форма сигнала синусоида, амплитуда 10¬, частота 3390 √ц)

Uвых.4

0.6

1.6

ћј–Ў–”“ »«√ќ“ќ¬Ћ≈Ќ»я ћ» –ќ—’≈ћ  425Ќ 1

††††††††††† Ёти схемы изготавливаютс€ по толстопленочной технологии.

1. ѕромывка чистых плат в деионизованной воде в ”« поле с порошком.

2.† “ермообработка при температуре 600 Ч 700ќ—.

3.† Ќанесение первой стороны проводников с проверкой совмещени€ под микроскопом. ѕасты Ч ѕѕ3, содержащие серебро, палладий, органику.

4. ¬жигание при температуре 625 Ч 740ќ—.

5. Ќанесение второй стороны проводников. ѕасты Ч ѕѕ1.

6. ¬жигание при той же температуре ( предварительное вжигание ).

7. Ќанесение проводников с торцевой стороны на полуавтомате с целью соединени€ сторон.

8. ќкончательное вжигание проводников при температуре 800 Ч 865ќ—.

9. Ќанесение резистивного сло€ на полуавтомате на маске. —остав пасты Ч окись Ag, Pd, органика.

10. ¬жигание резистивной пасты при температуре 700 Ч 750ќ—.

11. ѕодгонка лазерным лучом (установки У“емпФ)

12. »змерение резисторов, контроль внешнего вида.

13. ѕайка в электронагревательном устройстве в воздушной среде.

††††††††††† Ёта операци€ предусматривает пайку навесных элементов с помощью па€льной лампы на автоматической линии пайки. «десь закладываетс€ качество. ќт того на сколько качественно проведена пайка зависит качество и надежность схем. ѕаста наноситс€ трафаретной печатью через трафарет. Ќанесенные элементы став€т автоматически путем захвата их из бункера и установки на место. “емпература плавлени€ Ч 200-220ќ—. «десь не допускаетс€ смещение кристаллов, неправильна€ ориентаци€ кристаллов, прокрасы пасты.

14. ѕромывка в органическом растворител€х в ”« поле.

††††††††††† ќпераци€ предназначена дл€ отмывки плат† с навесными элементами от флюса. ѕромывка ведетс€ в трех ваннах с предварительной замочкой в течении 3 минут с последующей обработкой в ”« поле в течении 2 Ч 3 минут в каждой из трех ванн.† «атем схемы высушиваютс€ под выт€жкой. ѕри выполнении данной операции необходимо строго выполн€ть требовани€ безопасности. Ќе допускаетс€ соприкосновение “’Ё с нагретыми металлическими предметами во избежании образовани€ удушающих газов (фосген, дифосген).

15. ѕромывка в гор€чей деионизованной воде.

††††††††††† ќпераци€ предусматривает дополнительную промывку от остатков флюса и хлора (от “’Ё) при температура 85ќ— (расход Ќ2ќ Ч 1,2 л/мин) с последующей сушкой при температуре 80 Ч 120ќ—.

16. —табилизаци€ параметров термотренировкой.

††††††††††† —табилизаци€ проводитс€, чтобы не уходили параметры резистора. ѕроводитс€ при температуре 85+3ќ— в течении 24 часов

17. ѕайка проволочных выводов газовым пламенем на автоматической линии армировани€.

††††††††††† √аз Ч водород. –=0.6.10-5 ѕа. ¬рем€ пайки Ч 100 мсек. ƒл€ выводов используетс€ медь лужена€.

18. «агрузка схем в кассеты.

††††††††††† ѕроводитс€ дл€ удобства проведени€ операции герметизации.

19. Ќанесение сло€ компаунда окунанием.

††††††††††††††††††††††† ƒанна€ операци€ предусматривает технологический процесс герметизации микросхем. ѕроцесс происходит вручную. ѕри этом надо следить, чтобы не нарушались габаритные параметры. √ерметик Ч компаунд на основе эпоксидной смолы с добавлением отвердител€, растворител€ и красител€.

20. —ушка конвективна€.

††††††††††† ѕроводитс€ с целью полимеризации компаунда в печи —  при температуре 130 Ч 150ќ— в течении 2 часов.

21. ћаркировка.

††††††††††† — помощью специальных приспособлений на каждую схему наноситс€ товарный знак ( название, дата, ключ ).

22. Ћакировка.

††††††††††† —хемы покрываютс€ лаком дл€ улучшени€ товарного вида и дополнительной защиты от влаги.

23. —ушка конвективна€.

††††††††††† ѕроводитс€ при температуре 130 Ч 150ќ— в течении 2 часов.

24. “ермотренировка.

††††††††††† «десь предусматриваетс€ стабилизаци€ параметров при температуре 120ќ— в течении 24 часов.

25. »спытание на воздействие изменений температуры среды (термоциклирование).

††††††††††† ѕроводитс€ в двух камерах  “04 ( камера тепла ) и  “’Ѕ ( камера холода ) при температуре от+125ќ— до -65ќ— (10 циклов) с целью определени€ способности микросхем выдерживать попеременное воздействие придельной повышенной и придельной пониженной значений температур и сохран€ть после воздействи€ внешний вид и электрические параметры.

26. Ёлектро Ч термо тренировка (Ё““).

††††††††††† ѕредусматривает испытани€ микросхем на электрическую нагрузку при повышенной температуре. —хема загружаетс€ в контактирующие специальные стенды и испытываетс€ в рабочем режиме при 85ќ— в течении времени равном времени наработки ( 1...7 суток ).

27. –азбраковка по электрическим параметрам. ѕроводитс€ с целью разделени€ годных схем от брака. —хемы провер€ютс€ на испытательном комплексе У¬ахтаФ по всем приемосдаточным параметрам, предусмотренным техническими услови€ми.

28. –азбраковка по внешнему виду.

29. —дача в ќ“ .

††††††††††† ќт сданной партии 10%† выборки провер€етс€.

ќѕ≈–ј÷»я ЌјЌ≈—≈Ќ»≈ —Ћќя  ќћѕј”Ќƒј ќ ”ЌјЌ»≈ћ

Ќасто€ща€ операци€ предусматривает технологический процесс герметизации микросхем методом нанесени€ сло€ компаунда окунанием.

ѕодготовка рабочего места.

1.1 ѕроверить работу выт€жной вентил€ции.

1.2 ѕроверить наличие заземлени€ у всех установок, работающих под напр€жением.

1.3 ѕротереть рабочее место салфеткой из полотна УнетканолФ, смоченной в воде.

1.4 ѕолучить у мастера необходимые материалы и элементы.

1.5 ѕроверить загрузку элементов в кассету, при наличии дефектов возвратить на операцию Узагрузка элементов в кассетыФ.

1.6 ¬з€ть кассету с элементами с транспортера (в случае† автоматической загрузки элементов в кассеты) проверить внешний вид загруженных элементов.

Ќе допускаетс€:

1. отсутствие навесных элементов;

2. отсутствие выводов;

3. нарушение шага загрузки;

4. смещение выводов;

5. пересечение выводов;

6. сколы кристаллов, недопай конденсаторов.

1.7 ѕередать наладчику кассеты с дефектными элементами.

ѕримечани€. Ќаладчику, пользу€сь устройством ‘ќ«-0524, извлечь дефектные элементы из кассет, загрузить годными и передать заливщице дл€ обволакивани€.

ќрганизаци€ трудового процесса.

2.1   выполнению данной технической операции допускаютс€ лица, прошедшие аттестацию на знание данной операции в соответствии с “¬ќ 046 093 “».

2.2 ѕри работе соблюдать требован舆 электронной гигиены согласно

†“¬ќ 046 341 “».

2.3 “ехнологическа€ одежда должна соответствовать требовани€м —ќ“ 11 050 000-80.

2.4 Ќа рабочем месте должна находитьс€ выписка из технологической карты, выполненна€ в соответствии с “¬ќ 045 207 “».

“ехнологический процесс.

3.1 Ќаполнить ванну дл€ ручного окунани€ элементов компаундом.

3.2 ѕеремешать компаунд в ванне дл€ усреднени€ в€зкости и выравнивани€ поверхности компаунда.

3.3 ѕодровн€ть элементы в кассете, опустив их на поверхность стола так, чтобы они находились на одном уровне.

3.4 ќкунуть элементы в ванну с компаундом.

3.5 ¬ынуть медленно элементы из ванны и встр€хнуть с них избыток компаунда.

3.6 ѕеревернуть кассету с покрытыми элементами и стр€хнуть компаунд дл€ более равномерного распределени€ компаунда.

ƒопускаетс€ покрытие компаундом выводов на величину не более начала формовки вывода.

3.7 ѕросмотреть кассету после окунани€, проколоть пузыри с помощью монтажной иглы на корпусе и поставить в подставку дл€ сушки.

3.8 ѕовторить переходы 3.3-3.7 дл€ всей партии элементов.

3.9 «аполнить сопроводительный лист, указав четко дату, количество годных и бракованных микросхем, фамилию работницы.

3.10 ƒл€ герметизации микросхем  224‘Ќ2 использовать компаунд† в€зкостью 27-32 мм.

3.11 ƒл€ микросборок с конденсаторами  53-37 примен€ть компаунд Ёќ  в€зкостью 39-40 мм.

3.12 –аковины, образовавшиес€ на поверхности микросборок в местах расположени€ конденсаторов  53-37 и транзисторов в пластмассовом корпусе, дозалить компаундом с помощью монтажной иглы.

“ребовани€ безопасности.

4.1   работе на данной операции допускаютс€ лица:

Ј      достигшие 18 летнего возраста;

Ј      получившие положительное заключение по результатам медицинского осмотра в соответствии с приказом ћинздрава ———– є 400;

Ј      изучившие правила безопасной работы с эпоксидной смолой, м-фенилендиамином, трикрезилфосфатом и растворител€ми;

Ј      прошедшие инструктаж на рабочем месте по проведению данной операции.

4.2 ѕри работе на данной операции руководствоватьс€ требовани€ми безопасности согласно “¬ќ 046 050 “».

4.3  омпаунд на рабочем месте должен находитьс€ в плотно закрывающейс€ таре с соответствующей подписью под местным выт€жным устройством.

 оличество компаунда не должно превышать сменной потребности .

4.4 ѕроизводить обволакивание микросхем в ванне на рабочем месте с местным выт€жным устройством с защитным экраном из органического стекла.

4.5 ’ранить микросхемы после обволакивани€ в накопител€х с местным выт€жным устройством.

4.6 ¬ случае попадани€ компаунда на кожу промыть ее гор€чей водой с мылом и смазать защитной пастой –.71.528.21.

4.7  оличество ацетона на рабочем месте, предназначенного дл€ промывки микросхем упавших в ванну с компаундом, дл€ промывки посуды, приспособлений и оснастки, не должно превышать сменной потребности.

јцетон должен хранитьс€ в металлической таре с плотно закрывающейс€ крышкой.

4.8 ѕо окончании работы сдать мастеру оставшиес€ микросхемы и материалы, предназначенные дл€ утилизации.

ƒополнительные указани€.

5.1 ћикросхемы упавшие в ванну с компаундом во врем€ окунани€ партии, вз€ть пинцетом, промыть в чашке с ацетоном, загрузить в кассету и произвести окунание.

5.2 ѕо окончании работы промыть посуду, приспособлени€ и оснастку в ацетоне и протереть салфеткой.

¬ конце каждой рабочей недели слить компаунд из ванн в бак и выровн€ть поверхность. ¬анну очистить и промыть в ацетоне. ѕромывку производить в резиновых перчатках.

5.3 ”брать рабочее место.

5.4 «аказать мастеру компаунд на следующую смену по мере необходимости.

5.5 —рок жизни компаунда не более 5 суток.

5.6 ƒопускаетс€ разбавл€ть загустевший компаунд Ёќ  жидким компаундом в€зкостью 35-40 мм до получени€ рабочей в€зкости.

5.7 —лить отработанный компаунд в бочек с полиэтиленовым пакетом, вынуть пакет с компаундом и поместить под выт€жку. ¬ыдержать не менее 3 суток, после чего заполимеризованнй компаунд можно выбрасывать как бытовой мусор.

5.8 ƒопускаетс€ дл€ герметизации микросхем использовать компаунд ‘047-1 по “¬ќ 028 312 TK, “¬ќ 028 312 ћ , “¬ќ 308 211 TK, “¬ќ 342 911 TK, “¬ќ 028 001 “”.

5.9 ƒопускаетс€ вместо фурацилиновой защитной пасты использовать крем силиконовый.


Ћ » “ ≈ – ј “ ” – ј

1. “ехнологический маршрут изготовлени€ кристаллов 564»≈10.

2. “ехнологический маршрут изготовлени€ микросхем  425Ќ 1.

ћинистерство науки, высшей школы и технической политики –оссийской ‘едерации ћосковский государственный технический университет †им Ќ.Ё. Ѕаумана ______________________________________________________________  алужский филиал  афедра ѕ6- ‘

 

 

 

¬нимание! ѕредставленный –еферат находитс€ в открытом доступе в сети »нтернет, и уже неоднократно сдавалс€, возможно, даже в твоем учебном заведении.
—оветуем не рисковать. ”знай, сколько стоит абсолютно уникальный –еферат по твоей теме:

Ќовости образовани€ и науки

«аказать уникальную работу

ѕохожие работы:

 ачество продукции машиностроительного производства
ƒвигатель —тирлинга - прошлое, насто€щее и будущее
¬одоснабжение (дождевальные и поливные машины)
ћетоды контрол€ в производстве интегральных микросхем
 ремний, полученный с использованием "геттерировани€" расплава
“ехнологи€ ремонта автомобилей и дорожных машин
Ёксплуатаци€ машин в пустынно-степной местности
ѕропиточные материалы
“ермообработка
√идросистема прицепного скрепера

—вои сданные студенческие работы

присылайте нам на e-mail

Client@Stud-Baza.ru