курсовые,контрольные,дипломы,рефераты
УПИ – УГТУ
Кафедра радиоприёмные устройства.
по дисциплине: “ Элементная база радиоэлектронной аппаратуры “.
Вариант № 17
Шифр:
Ф.И.О
Заочный факультет
Радиотехника
Курс: 3
Работу не высылать.
УПИ – УГТУ
Кафедра радиоприёмные устройства.
по дисциплине: “ Элементная база радиоэлектронной аппаратуры “.
Вариант № 17
Шифр:
Ф.И.О
Заочный факультет
Радиотехника
Курс: 3
Работу не высылать.
Аннотация.
Целью работы является активизация самостоятельной учебной работы, развитие умений выполнять информационный поиск, пользоваться справочной литературой, определять параметры и характеристики, эквивалентные схемы полупроводниковых приборов.
Исходные данные:
Тип транзистора ………………………………………………………………… ГТ310Б
Величина напряжения питания Еп ……………………………………………... 5 В
Сопротивление коллекторной нагрузки Rк …………………………………… 1,6 кОм
Сопротивление нагрузки Rн ……………………………………………………. 1,8 кОм
Схема включения транзистора с общим эмиттером, с фиксированным током базы, с резистивно- ёмкостной связью с нагрузкой.
Биполярный транзистор ГТ310Б.
Краткая словесная характеристика:
Транзисторы германиевые диффузионно- сплавные p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума высокочастотные маломощные.
Предназначены для работы в усилителях высокой частоты. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на этикетке.
Масса транзистора не более 0,1 г..
Электрические параметры.
Коэффициент шума при ƒ= 1,6 МГц, Uкб= 5 В, IЭ= 1 мА не более ……………. 3 дБ
Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала
при Uкб= 5 В, IЭ= 1 мА, ƒ= 50 – 1000 Гц ……………………………….. 60 – 180
Модуль коэффициента передачи тока H21э
при Uкб= 5 В, IЭ= 5 мА, ƒ= 20 МГц не менее …………………………... 8
Постоянная времени цепи обратной связи
при Uкб= 5 В, IЭ= 5 мА, ƒ= 5 МГц не более ………………………….… 300 пс
Входное сопротивление в схеме с общей базой
при Uкб= 5 В, IЭ= 1 мА …………………………………………………… 38 Ом
Выходная проводимость в схеме с общей базой
при Uкб= 5 В, IЭ= 1 мА, ƒ= 50 – 1000 Гц не более …………………….. 3 мкСм
Ёмкость коллектора при Uкб= 5 В, ƒ= 5 МГц не более ………………………… 4 пФ
Предельные эксплуатационные данные.
Постоянное напряжение коллектор- эмиттер:
при Rбэ= 10 кОм ……………….………………………………………… 10 В
при Rбэ= 200 кОм ……………….……………………………………….. 6 В
Постоянное напряжение коллектор- база ………………………………………... 12 В
Постоянный ток коллектора ……………………………………………………… 10 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т = 233 – 308 К ………... 20 мВт
Тепловое сопротивление переход- среда ………………………………………... 2 К/мВт
Температура перехода ……………………………………………………………. 348 К
Температура окружающей среды ………………………………………………... От 233 до
328 К
Примечание. Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт, при Т = 308 – 328 К определяется по формуле:
PК.макс= ( 348 – Т )/ 2
Входные характеристики.
Для температуры Т = 293 К :
Iб, мкА |
||||||||
200 |
||||||||
160 | ||||||||
120 |
||||||||
80 | ||||||||
40 | ||||||||
0 |
0,05 | 0,1 | 0,15 | 0,2 | 0,25 | 0,3 | 0,35 |
Uбэ,В |
Выходные характеристики.
Для температуры Т = 293 К :
Iк , мА |
|||||||
9 |
|||||||
8 |
|||||||
7 | |||||||
6 |
|||||||
5 |
|||||||
4 |
|||||||
3 |
|||||||
2 |
|||||||
1 |
|||||||
0 |
1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 |
Uкэ,В |
Нагрузочная прямая по постоянному току.
Уравнение
нагрузочной
прямой по постоянному
току для схемы
включения с
общим эмиттером:
Построим нагрузочную прямую по двум точкам:
при Iк= 0, Uкэ= Еп = 9 В, и при Uкэ= 0, Iк= Еп / Rк = 9 / 1600 = 5,6 мА
Iк , мА |
||||||||||
6 |
||||||||||
5 |
||||||||||
4 |
А |
|||||||||
3 Iк0 |
||||||||||
2 |
||||||||||
1 | ||||||||||
0 |
1 | 2 | 3 | 4 |
5 Uкэ0 |
6 | 7 | 8 |
9 Еп |
Uкэ,В |
Iб, мкА |
|||||||||
50 |
|||||||||
40 | |||||||||
30 Iб0 |
|||||||||
20 | |||||||||
10 | |||||||||
0 0,15 |
0,17 | 0,19 | 0,21 | 0,23 | 0,25 | 0,27 |
0,29 Uбэ0 |
0,31 |
Uбэ,В |
Параметры режима покоя (рабочей точки А):
Iк0= 3 мА, Uкэ0= 4,2 В, Iб0= 30 мкА, Uбэ0= 0,28 В
В
еличина
сопротивления
Rб:
Определим H–параметры в рабочей точке.
Iк , мА |
||||||||||
6 |
||||||||||
5 |
||||||||||
4 |
ΔIк0 |
|||||||||
3 |
ΔIк |
|||||||||
2 |
||||||||||
1 | ||||||||||
0 |
1 | 2 | 3 | 4 |
5 Uкэ0 |
6 | 7 | 8 |
9 Еп |
Uкэ,В |
ΔUкэ
Iб, мкА |
|||||||||
50 |
|||||||||
40 |
ΔIб |
||||||||
30 Iб0 |
|||||||||
20 |
|||||||||
10 | |||||||||
0 0,15 |
0,17 | 0,19 | 0,21 | 0,23 | 0,25 | 0,27 |
0,29 Uбэ0 |
0,31 |
Uбэ,В |
ΔUбэ
ΔIк0= 1,1 мА, ΔIб0 = 10 мкА, ΔUбэ = 0,014 В, ΔIб = 20 мкА, ΔUкэ= 4 В, ΔIк= 0,3 мА
H
-параметры:
Определим G – параметры.
Величины G-параметров в рабочей точке определим путём пересчёта матриц:
G-параметр:
G11э= 1,4 мСм, G12э= - 0,4*10 –6
G21э= 0,15 , G22э= 4,1*10 –3 Ом
Определим величины эквивалентной схемы биполярного транзистора.
Схема
Джиаколетто
– физическая
малосигнальная
высокочастотная
эквивалентная
схема биполярного
транзистора:
В
еличины
элементов
физической
эквивалентной
схемы транзистора
и собственная
постоянная
времени транзистора
определяются
соотношениями
(упрощёнными):
С
обственная
постоянная
времени транзистора:
Крутизна:
Определим граничные и предельные частоты транзистора.
Г
раничная
частота коэффициента
передачи тока:
Предельная
частота коэффициента
передачи тока
базы в схеме
с общим эммитером:
М
аксимальная
частота генерации:
П
редельная
частота коэффициента
передачи тока
эммитера в
схеме с общим
эммитером:
Предельная частота проводимости прямой передачи:
Определим сопротивление нагрузки транзистора и построим нагрузочную прямую.
Сопротивление нагрузки транзистора по переменному току:
Нагрузочная прямая по переменному току проходит через точку режима покоя
Iк0= 3 мА, Uкэ0= 4,2 В и точку с координатами:
Iк= 0, Uкэ= Uкэ0+ Iк0*R~= 4,2 + 3*10 –3 * 847 = 6,7 В
Iк , мА |
||||||||||
6 |
||||||||||
5 |
||||||||||
4 |
А |
|||||||||
3 Iк0 |
||||||||||
2 |
||||||||||
1 | ||||||||||
0 |
1 | 2 | 3 | 4 |
5 Uкэ0 |
6 | 7 | 8 |
9 Еп |
Uкэ,В |
Определим динамические коэффициенты усиления.
Iк , мА |
||||||||||
6 |
||||||||||
5 |
А |
|||||||||
4 |
ΔIк |
|||||||||
3 Iк0 |
||||||||||
2 |
||||||||||
1 | ||||||||||
0 |
1 | 2 | 3 | 4 |
5 Uкэ0 |
6 | 7 | 8 |
9 Еп |
Uкэ,В |
ΔUкэ
Iб, мкА |
|||||||||
50 |
|||||||||
40 |
ΔIб |
||||||||
30 Iб0 |
|||||||||
20 |
|||||||||
10 | |||||||||
0 0,15 |
0,17 | 0,19 | 0,21 | 0,23 | 0,25 | 0,27 |
0,29 Uбэ0 |
0,31 |
Uбэ,В |
ΔUбэ
ΔIк= 2,2 мА, ΔUкэ= 1,9 В, ΔIб = 20 мкА, ΔUбэ = 0,014 В
Д
инамические
коэффициенты
усиления по
току КI
и напряжению
КU
определяются
соотношениями:
Выводы:
Данная работа активизировала самостоятельную работу, развила умение
выполнять информационный поиск, пользоваться справочной литературой, определять параметры и характеристики, эквивалентные схемы полупроводниковых транзисторов, дала разностороннее представление о конкретных электронных элементах.
Библиографический список.
“Электронные приборы: учебник для вузов” Дулин В.Н., Аваев Н.А., Демин В.П. под ред. Шишкина Г.Г. ; Энергоатомиздат, 1989 г..
Батушев В.А. “ Электронные приборы: учебник для вузов”; М.: Высш.шк., 1980г.
Батушев В.А. “ Электронные приборы: учебник для вузов”; М.: Высш.шк., 1969г.
Справочник “ Полупроводниковые приборы: транзисторы”; М.: Энергоатомиздат, 1985г..
Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам; М.: Энергия, 1976г..
Справочник “ Транзисторы для аппаратуры широкого применения ”; М.: Радио и связь, 1981г..
Энергетический расчет спутниковой линии связи для передачи телевизионных сигналов
Эффект Ганна и его использование, в диодах, работающих в генераторном режиме
передатчик расчет 50 - 80 Мгц
Вторично-ионная масса спектрометрия
Диод
Радиолокация
Энергетика СВЧ в народном хозяйстве: применение СВЧ-нагрева в пищевой промышленности
16-разрядный генератор псевдослучайных чисел
Оптико-электронные системы
Ремонт и регулировка мониторов для компьютеров
Copyright (c) 2024 Stud-Baza.ru Рефераты, контрольные, курсовые, дипломные работы.