База знаний студента. Реферат, курсовая, контрольная, диплом на заказ

Техническое задание №6.

Схема логики ИЛИ-НЕ на биполярных транзисторах.

Технология планарно-эпитаксиальная, изоляция элементов слоем

n-полупроводника.

	Элемент	Характеристика
1	R1 – R4	4,7 кОм ±20%
2	R5	3,3 кОм ±20%
3	C1 – C4	20 пФ ±20% Uраб = 4 В, диэлектрик – SiO2
4	T1 – T4	Типовый транзистор монолитных ИС, однобазовый полосковый.

Техническое задание №6. Схема логики ИЛИ-НЕ на биполярных транзисторах. Технология планарно-эпитаксиальная, изоляция элементов слоем n-полупроводника. Элемент Характеристика 1 R1 – R4

 

• 14:21 05 Июля 2016
  Российско-китайский медуниверситет откроет магистерскую программу по TCM
• 01:21 05 Июля 2016
  На форуме МГУ Россия и Китай обсудят научно-образовательное сотрудничество
• 11:00 04 Июля 2016
  Реморенко: "ЕГЭ-туризм" в России сходит на нет
• 10:52 04 Июля 2016
  Летняя российско-австрийская школа откроется в Москве
• 15:31 01 Июля 2016
  В СПбГУ могут воссоздать географический факультет

Заказать уникальную работу