курсовые,контрольные,дипломы,рефераты
«МАТИ»-РГТУ
им. К. Э. Циолковского
Кафедра: "Xxxxxxxxxx xxxxxxxxxx
xxxxxxxxxxxxxxxx"
студент Хxxxxxxx X. X. группа XX-X-XX |
дата сдачи |
оценка |
г. Москва 2001 год
Оглавление:
1. Исходные данные |
3 |
|
2. Анализ исходных данных |
3 |
|
3. Расчет физических параметров p- и n- областей |
3 |
|
а) эффективные плотности состояний для зоны проводимости и валентной зоны | 3 | |
б) собственная концентрация | 3 | |
в) положение уровня Ферми | 3 | |
г) концентрации основных и неосновных носителей заряда | 4 | |
д) удельные электропроводности p- и n- областей | 4 | |
е) коэффициенты диффузий электронов и дырок | 4 | |
ж) диффузионные длины электронов и дырок | 4 | |
4. Расчет параметров p-n перехода |
4 |
|
a) величина равновесного потенциального барьера | 4 | |
б) контактная разность потенциалов | 4 | |
в) ширина ОПЗ | 5 | |
г) барьерная ёмкость при нулевом смещении | 5 | |
д) тепловой обратный ток перехода | 5 | |
е) график ВФХ | 5 | |
ж) график ВАХ | 6, 7 | |
5. Вывод |
7 |
|
6. Литература |
8 |
1. Исходные данные |
|||||||
1) материал полупроводника – GaAs 2) тип p-n переход – резкий и несимметричный 3) тепловой обратный ток () – 0,1 мкА 4) барьерная ёмкость () – 1 пФ 5) площадь поперечного сечения ( S ) – 1 мм2 6) физические свойства полупроводника |
|||||||
|
|||||||
|
Ширина запрещенной зоны, эВ |
Подвижность при 300К, м2/В×с |
Эффективная масса |
Время жизни носителей заряда, с |
Относительная диэлектрическая проницаемость | ||
|
электронов | Дырок |
электрона mn/me |
дырки mp/me |
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
1,42-8 |
0,85-8 |
0,04-8 |
0,067-8 |
0,082-8 |
10-8 |
13,1-8 |
|
|
||||||
2. Анализ исходных данных |
|||||||
1. Материал легирующих примесей: а) S (сера) элемент VIA группы (не Me) б) Pb (свинец) элемент IVA группы (Me) 2. Концентрации легирующих примесей: Nа=1017м -3, Nд=1019м -3 3. Температура (T) постоянна и равна 300К (вся примесь уже ионизирована) 4. – ширина запрещенной зоны 5. , – подвижность электронов и дырок 6. , – эффективная масса электрона и дырки 7. – время жизни носителей заряда |
|||||||
8. – относительная диэлектрическая проницаемость |
|||||||
3. Расчет физических параметров p- и n- областей |
|||||||
а) эффективные плотности состояний для зоны проводимости и валентной зоны б) собственная концентрация в) положение уровня Ферми (рис. 1) (рис. 2) |
|||||||
|
|
||||||||||||||||||||||||
(рис. 1) | (рис. 2) | ||||||||||||||||||||||||
г) концентрации основных и неосновных носителей заряда | |||||||||||||||||||||||||
д) удельные электропроводности p- и n- областей |
|||||||||||||||||||||||||
е) коэффициенты диффузий электронов и дырок |
|||||||||||||||||||||||||
ж) диффузионные длины электронов и дырок
|
|||||||||||||||||||||||||
4. Расчет параметров p-n перехода |
|||||||||||||||||||||||||
a) величина равновесного потенциального барьера
б) контактная разность потенциалов |
в) ширина ОПЗ (переход несимметричный à ) |
||
г) барьерная ёмкость при нулевом смещении д) тепловой обратный ток перехода |
||
е) график ВФХ |
||
– общий вид функции для построения ВФХ | ||
ж) график ВАХ |
||
– общий вид функции для построения ВАХ | ||
Ветвь обратного теплового тока (масштаб) |
||
|
Ветвь прямого тока (масштаб) |
|
Вывод. При заданных параметрах полупроводника полученные значения удовлетворяют физическим процессам: - величина равновесного потенциального барьера () равна , что соответствует условию >0,7эВ |
||
|
||
- барьерная емкость при нулевом смещении () равна 1,0112пФ т.е. соответствует заданному ( 1пФ ) |
||
- значение обратного теплового тока () равно 1,92×10-16А т.е. много меньше заданного ( 0,1мкА ) |
||
Литература: 1. Шадский В. А. Конспект лекций «Физические основы микроэлектроники» 2. Шадский В. А Методические указания к курсовой работе по курсу «ФОМ». Москва, 1996 г. 3. Епифанов Г. И. Физические основы микроэлектроники. Москва, «Советское радио», 1971 г. |
||
Определение функций электрической цепи и расчет их частотных зависимостей
Определение характеристик оптимального обнаружения сигналов
Оптические и магнитно-оптические накопители
Органiзацiя та планування виробництва потококонвеєрноi лiнii десяткового суматора з корекцiєю результата ([Курсовая])
Организация РРЛ
Организация проводной связи в ОВД (контрольная по специальной технике)
Основы компьютерной электроники
Основы теории цепей
Основы электроники
Особенности и классификация систем подвижной радиосвязи (СПРС)
Copyright (c) 2024 Stud-Baza.ru Рефераты, контрольные, курсовые, дипломные работы.