База знаний студента. Реферат, курсовая, контрольная, диплом на заказ

 Министерство Образования РФ

Тюменский Государственный Нефтегазовый Университет

Курсовая работа

по дисциплине: Электроника.

Выполнил: студент гр. АиУ-01-4

Муфтахов Эльвир Асхатович

Проверил: к.т.н., доцент

Крамнюк Анатолий Илларионович

Тюмень 2003

Содержание

1. Техническое задание………………………………………………………... 2. Введение……………………………………………………………………... 3. Блок-схема…………………………………………………………………… 4. Расчет каскадов усилителя мощности: 4.1. Выходной каскад………………………………………………………... 4.2. Повторитель 3…………………………………………………………… 4.3. Аттенюатор……………………………………………………………… 4.4. Повторитель 2…………………………………………………………… 4.5. Усилитель 2……………………………………………………………… 4.6. Повторитель 1…………………………………………………………… 4.7. Усилитель 1……………………………………………………………… 4.8. Расчет разделительных конденсаторов………………………………... 5. АЧХ и ФЧХ усилителя на транзисторе VT4………………………………. 6. Расчет искажений на верхних частотах……………………………………. 7. Расчет стабилитронов……………………………………………………….. 8. Расчет радиаторов охлаждения…………………………………………….. 9. Технология изготовления печатных плат………………………………….. 10. Спецификация……………………………………………………………… 11. Карта режимов……………………………………………………………... 12. Список литературы…………………………………………………………

Стр. 3 4 4 5 11 14 17 20 24 27 31 32 34 36 38 39 40 41 43

1. Техническое задание

Необходимо спроектировать и рассчитать усилитель мощности со следующими параметрами:

·  R_н=19,8185 Ом мощность P_вых=5,7427 Вт;

·    59,5728 Гц – 59572,8 Гц;

·  _н=1,0151,  М_в=1,1М_н=1,11661;

·  K_f=0,0624 %;

·  _вх=0,2646 кОм=264,6 Ом;

·  Uвх=0,0179 В;

·    0;   -0,1763 дБ;   -1,763 дБ;   -17,63 дБ.

2. ВВЕДЕНИЕ

Усилитель мощности предназначен для создания требуемой мощности сигнала в нагрузке. Усилитель колебаний низкой частоты – составная часть каждого современного радиоприемника, телевизора или магнитофона. Усилитель является основой радиовещания по проводам, аппаратуры телеуправления, многих измерительных приборов, электронной автоматики и вычислительной техники, кибернетических устройств.

3. Блок-схема

Выходной каскад предназначен для обеспечения заданной мощности на заданном сопротивлении нагрузки.

Повторитель 3 увеличивает входное сопротивление выходного каскада.

Аттенюатор служит для плавной и ступенчатой регулировки уровня ослабления выходного напряжения.

Повторитель 2 увеличивает входное сопротивление аттенюатора.

Усилители 1, 2 увеличивают входное напряжение до величины, необходимой для выходного каскада.

Повторитель 1 увеличивает входное сопротивление усилителя 2, для того, чтобы обеспечить величину входного напряжения и сопротивления усилителя 1 указанного в техническом задании.

4. Расчет каскадов усилителя мощности

4.1. Выходной каскад

1. Определим амплитудные значения тока и напряжения:

2. Определим P_доп:

3. Определим U_кэ12, U_кэ13:

4. Определим E_к:

Приняв U_з = 0,7В получили E_к = 43,118В, округлим это значение до стандарта, т.е. примем E_к = 45В

5. Выберем тип транзисторов VT12, VT13 (n-p-n) соответствующий найденным параметрам:

	Модель	P, Вт	U(кэ), В	I(k), A	β	f(гр), Mhz	C(к)	I(ко), А	U(бэ), В
VT12	КТ817Б	25	45	3	15	3	60	0,00005	0,7
VT13	КТ817Б	25	45	3	15	3	60	0,00005	0,7

6. Определим ток покоя VT12, VT13:

Примем I_п12,13 = 390 мА

7. Определим величину резисторов защиты:

, выбираем по Е24, R_38,40 = 1,8 Ом

8. Определим ток покоя VT10, VT11:

E24, R_37,39 = 18 Ом

9. Определим U_кэ10,11:

10. Определим мощность, рассеиваемую на VT10, VT11:

11. Выберем тип транзисторов VT10(n-p-n), VT11(p-n-p) соответствующий найденным параметрам:

	Модель	P, Вт	U(кэ), В	I(k), A	β	f(гр), Mhz	C(к)	U(бэ), В
VT10	КТ815Б	10	50	1,5	20	3	60	0,7
VT11	КТ814Б	10	50	1,5	20	3	60	0,3

12. Определим величину напряжения смещения U₀ по равенству:

13. Определим ток покоя транзистора VT9:

, примем I_п9 = 0,015А, тогда

14. Определим R₃₅+R₃₆:

15. Определим мощность, рассеиваемую на VT9:

16. Выберем тип транзисторов VT9(n-p-n) соответствующий найденным параметрам:

	Модель	P, Вт	U(кэ), В	I(k), A	β	f(гр), Mhz	C(к)	U(бэ), В
VT9	КТ961Б	1	60	1,5	100	50	20	0,7

17. Выберем R₃₅ >> R_н, то есть R₃₅ = 200 Ом

Тогда R₃₆ = 1449,4 – 200 = 1249 Ом = 1,249 кОм

Примем R₃₆ = 1,2кОм.

18. Определим величину емкости C₁₅ из условия:

Примем C₁₅ = 47мкФ

19. Определим емкость в цепи компенсации:

Примем C₁₈ = 220мкФ

20. Определим коэффициент передачи повторителя на транзисторах VT10 – VT13:

21. Проверим правильность выбранного значения U_кэ9:

 

22. Определим входное сопротивление выходного каскада в целом:

23. Величина R_~ для предварительного каскада равна:

24. Найдем входное сопротивление транзистора VT9:

25. Определим коэффициент усиления предварительного каскада:

26. Определим коэффициент усиления всего выходного каскада:

27. Выбираем ток базового делителя VT9:

28. Определим резистор делителя:

Примем R₃₀ = 910 Ом

Выберем R₃₄ из условия R₃₄ > R_н. Одновременно для уменьшения необходимой емкости конденсатора фильтра C₁₆ желательно выбирать как можно больше.

Поэтому принимаем R₃₁ = 1300 Ом = 1,3 кОм, R₃₄ = 12000 Ом = 12 кОм

29. Определим емкость конденсатора фильтра:

Примем C₁₆ = 3300мкФ

30. Определим неизвестные сопротивления:

31. Определим падения напряжений на резисторах:

32. Рассчитаем мощности резисторов:

Вт                             

                        

                       

                                    

                          

33. Рассчитаем напряжения на конденсаторах:

             

                  

          

Расчет ООС:

34. Рассчитаем глубину ООС:

35. Рассчитаем входное сопротивление выходного каскада:

Примем R₂₈ ≈ R_вх = 200 Ом

36. Рассчитаем эквивалентное сопротивление:

Примем R₂₉ = 1600 Ом

37. Определим коэффициент усиления выходного каскада с ООС:

4.2. Повторитель 3

Нагрузкой для данного повторителя будет являться входное сопротивление выходного каскада, т.е. сопротивление R₂₈ цепи обратной связи, а за амплитуду выходного напряжения примем входное напряжение выходного каскада, т.е.:

R_н = 200 Ом

1. Вычислим значение тока протекающего через нагрузку:

2. Определим параметры транзистора VT8:

3. Выберем тип транзистора VT8 (n-p-n) соответствующий найденным параметрам:

	Модель	P, Вт	U(кэ), В	I(k), A	β	f(гр), Mhz	C(к)
VT8	КТ315Б	0,15	20	0,1	50	250	7

4. Определим значение тока базы VT8:

5. Определим падение напряжения на R₂₄:

6. Определим параметры транзистора VT7:

7. Выберем тип транзистора VT7 (n-p-n) соответствующий найденным параметрам:

	Модель	P, Вт	U(кэ), В	I(k), A	β	f(гр), Mhz	C(к)
VT7	КТ315Б	0,15	20	0,1	50	250	7

8. Определим значение тока базы VT7:

9. Определим значение тока делителя:

Выберем ток базового делителя из условия, что I_д>>I_б. Примем:

10. Найдем значение резистора R₂₄:

11. Найдем значение резистора R₂₃:

R₂₃ = (5-10) кОм. Примем R₂₃ = 10000 Ом, тогда

12. Определим падения напряжений на резисторах базового делителя:

13. Определим значения резисторов базового делителя:

14. Определяем величину R_э~:

15. Определим входное сопротивление транзистора VT7:

16. Определим коэффициент передачи повторителя:

17. Определим входное напряжение повторителя:

18. Вычислим значение входного сопротивления повторителя:

19. Определим величину емкости конденсатора С₁₂, исходя из условия:

Примем C₁₆ = 100 мкФ

20. Определим напряжение на конденсаторах:

21. Определим мощности резисторов:

4.3. Аттенюатор

Аттенюатор должен обеспечивать дискретное переключение диапазонов и  плавное  изменение  сигнала  внутри  них:

(-17.63   ... -1.763) дБ

(-1.763   ... -0.1763) дБ

(-0.1763 ... 0) дБ

Для нормальной работы аттенюатора необходимо выполнение следующего условия:

1. Для обеспечения максимального ослабления (-17.63 ... -1.763) дБ:

Округлим найденное значение сопротивления по раду Е24: R₄₃=7,5кОм

Тогда максимальное ослабление в этом диапазоне будет:

2. Для диапазона (-1.763   ... -0.1763) дБ

Округлим найденное значение сопротивления по раду Е24: R₄₂=240 Ом

Тогда максимальное ослабление в этом диапазоне будет:

3. Для диапазона (-0.1763 ... 0) дБ

Округлим найденное значение сопротивления по раду Е24: R₄₁=22 Ом

Тогда максимальное ослабление в этом диапазоне будет:

4. Рассчитаем напряжения на резисторах аттенюатора:

Для U_R25 возьмём наибольшее значение, т.е. когда ослабление наименьшее:

Рассчитаем мощности данных резисторов:

                   

4.4. Повторитель 2

Нагрузкой для данного повторителя будет являться эквивалентное сопротивление, т.е. параллельное соединение сопротивления R₄₄ аттенюатора и R_вх предыдущего повторителя, а за амплитуду выходного напряжения примем входное напряжение того же повторителя, т.е.:

1. Вычислим значение тока протекающего через нагрузку:

2. Определим параметры транзистора VT6:

3. Выберем тип транзистора VT6 (n-p-n) соответствующий найденным параметрам:

	Модель	P, Вт	U(кэ), В	I(k), A	β	f(гр), Mhz	C(к)
VT6	КТ315Б	0,15	20	0,1	50	250	7

4. Определим значение тока базы VT6:

5. Определим падение напряжения на R₂₀:

6. Определим параметры транзистора VT5:

7. Выберем тип транзистора VT5 (n-p-n) соответствующий найденным параметрам:

	Модель	P, Вт	U(кэ), В	I(k), A	β	f(гр), Mhz	C(к)
VT5	КТ315Б	0,15	20	0,1	50	250	7

8. Определим значение тока базы VT5:

9. Определим значение тока делителя:

Выберем ток базового делителя из условия, что I_д>>I_б. Примем:

10. Найдем значение резистора R₂₀:

11. Найдем значение резистора R₁₉:

R₁₉ = (5-10) кОм. Примем R₁₉ = 10000 Ом, тогда

12. Определим падения напряжений на резисторах базового делителя:

13. Определим значения резисторов базового делителя:

14. Определяем величину R_э~:

15. Определим входное сопротивление транзистора VT5:

16. Определим коэффициент передачи повторителя:

17. Определим входное напряжение повторителя:

18. Вычислим значение входного сопротивления повторителя:

19. Определим величину емкости конденсатора С₉, исходя из условия:

Примем C₉ = 100 мкФ

20. Определим напряжение на конденсаторах:

21. Определим мощности резисторов:

4.5. Усилитель 2

Нагрузкой для данного усилителя будет являться входное сопротивление предыдущего каскада R_вхП2, а амплитудой выходного сигнала будет амплитуда входного сигнала повторителя, т.е.:

U_н=2.12 В

R_н=189673 Ом

Расчет каскада по постоянному току:

1. Определим ток в нагрузке:

2. Ориентировочно зададим значения I_кmin и U_кэmin, используя соотношения:

3. Определяем I_кmax:

4. Зададимся значением γ_э и вычислим λ:

5. Определим Е_к и R₁₅, U_C7:

6. Определим I_кнач и U_кнач:

7. Определим допустимую мощность рассеивания на транзисторе:

8. Выберем тип транзистора VT4 (n-p-n) соответствующий найденным параметрам:

	Модель	P, Вт	U(кэ), В	I(k), A	β	f(гр), Mhz	C(к)
VT4	КТ340Б	0,15	20	0,05	100	300	3,7

9. Найдём ток I_д:

10. Рассчитаем значения резисторов делителя R₁₃ и R₁₄:

11. Рассчитаем значение конденсатора в цепи эмиттера С₇:

Расчет каскада по переменному току:

При расчете каскада по переменному току определяются следующие параметры:

12. Определим коэффициент усиления в области средних частот:

Тогда

13. Входное сопротивление каскада:

14. Выходное сопротивление каскада:

15. Определим напряжения на резисторах R₁₅, R₁₆:

Для обеспечения уровня нелинейных искажений, определяемых техническим заданием, вводим отрицательную обратную связь по напряжению глубиной F=5.

16. Входное сопротивление усилителя с ОС равно значению резистора R₁₁:

17. Определим сопротивление цепи ОС R₁₂:

18. Коэффициент усиления усилителя с ОС:

19. Определим входные параметры каскада:

20. Найдём напряжение на базовых делителях:

21. Определим мощности резисторов:

                 

22. Определим напряжение на конденсаторах:

4.6. Повторитель 1

  Нагрузкой для данного повторителя будет являться входное сопротивление последующего усилителя, а за амплитуду выходного напряжения примем входное напряжение того же каскада, т.е.:

1. Вычислим значение тока протекающего через нагрузку:

2. Определим параметры транзистора VT3:

3. Выберем тип транзистора VT3 (n-p-n) соответствующий найденным параметрам:

	Модель	P, Вт	U(кэ), В	I(k), A	β	f(гр), Mhz	C(к)
VT3	КТ315Б	0,15	20	0,1	50	250	7

4. Определим значение тока базы VT3:

5. Определим падение напряжения на R₁₀:

6. Определим параметры транзистора VT2:

7. Выберем тип транзистора VT2 (n-p-n) соответствующий найденным параметрам:

	Модель	P, Вт	U(кэ), В	I(k), A	β	f(гр), Mhz	C(к)
VT2	КТ315Б	0,15	20	0,1	50	250	7

8. Определим значение тока базы VT2:

9. Определим значение тока делителя:

Выберем ток базового делителя из условия, что I_д>>I_б. Примем:

10. Найдем значение резистора R₁₀:

11. Найдем значение резистора R₉:

R₉ = (5-10) кОм. Примем R₉ = 10000 Ом, тогда

12. Определим падения напряжений на резисторах базового делителя:

13. Определим значения резисторов базового делителя:

14. Определяем величину R_э~:

15. Определим входное сопротивление транзистора VT2:

16. Определим коэффициент передачи повторителя:

17. Определим входное напряжение повторителя:

18. Вычислим значение входного сопротивления повторителя:

19. Определим величину емкости конденсатора С₄, исходя из условия:

Примем C₄ = 150 мкФ

20. Определим напряжение на конденсаторах:

21. Определим мощности резисторов:

4.7. Усилитель 1

Нагрузкой для данного усилителя будет являться входное сопротивление следующего повторителя, а амплитудой выходного сигнала будет амплитуда входного сигнала  повторителя, т.е.:

U_н=0,123В

R_н=188753 Ом

Расчет каскада по постоянному току:

1. Определим ток в нагрузке:

2. Ориентировочно зададим значения I_кmin и U_кэmin, используя соотношения:

3. Определяем I_кmax:

4. Зададимся значением γ_э и вычислим λ:

5. Определим Е_к и R₅, U_C2:

6. Определим I_кнач и U_кнач:

7. Определим допустимую мощность рассеивания на транзисторе:

8. Выберем тип транзистора VT1 (n-p-n) соответствующий найденным параметрам:

	Модель	P, Вт	U(кэ), В	I(k), A	β	f(гр), Mhz	C(к)
VT1	КТ301Б	0,15	30	0,01	10	20	10

9. Найдём ток I_д:

10. Рассчитаем значения резисторов делителя R₃ и R₄:

11. Рассчитаем значение конденсатора в цепи эмиттера С₂:

Расчет каскада по переменному току:

При расчете каскада по переменному току определяются следующие параметры:

12. Определим коэффициент усиления в области средних частот:

Тогда

13. Входное сопротивление каскада:

14. Выходное сопротивление каскада:

15. Определим напряжения на резисторах R₅, R₆:

Для обеспечения уровня нелинейных искажений, определяемых техническим заданием, вводим отрицательную обратную связь по напряжению глубиной F=6.

16. Входное сопротивление усилителя с ОС равно значению резистора R₁:

17. Определим сопротивление цепи ОС R₂:

18. Коэффициент усиления усилителя с ОС:

19. Определим входные параметры каскада:

20. Найдём напряжение на базовых делителях:

21. Определим мощности резисторов:

                 

22. Определим напряжение на конденсаторах:

4.8. Расчёт разделительных конденсаторов

Расчет конденсаторов будем производить на низких частотах.

Распределим равномерно частотные искажения по всем конденсаторам, т.е.:

Расчет ёмкостей производится по следующей формуле:

Определим ёмкости разделительных конденсаторов:

5. АЧХ и ФЧХ усилителя на транзисторе VT4

Коэффициент усиления усилителя:

        

Фазовый сдвиг усилителя:

АЧХ и ФЧХ данного усилительного каскада имеют вид:

6. Расчет искажений на верхних частотах

1. Повторитель на транзисторах VT10-VT13:

VT12, 13:

VT10, 11:

2. Усилитель на транзисторе VT9:

3. Усилитель на VT4:

4. Усилитель на VT1:

Суммарное значение коэффициента частотных искажений:

7. Расчет стабилитронов

Стабилитроны используются для понижения напряжения питания для отдельных каскадов.

Стабилитрон VD1:

Для подачи питания использован стабилитрон КС515Г со следующими параметрами:

Uст, В	Iст min, mA	Iст ном, mA	Iст max, mA	Pст max, Вт
15,0	3	10	31	0,25

        

Стабилитрон VD2:

Uст, В	Iст min, mA	Iст ном, mA	Iст max, mA	Pст max, Вт
12,0	0,5	4	13	0,125

Для подачи питания использован стабилитрон КС212Ж со следующими параметрами:

 

 

 

 

Стабилитрон VD3:

Uст, В	Iст min, мА	Iст ном, mA	Iст max, мА	Pст max, Вт
9,1	3	10	20	0,25

Для подачи питания использован стабилитрон КС191С со следующими параметрами:

8. РАСЧЕТ РАДИАТОРОВ ОХЛАЖДЕНИЯ

В выходном каскаде стоят транзисторы большой мощности, следовательно, необходимо поставить радиаторы для отвода теплоты. Площадь радиатора рассчитывается по следующей формуле:

S=1000 / (R_Tn-c s _T) см²

где s _T - коэффициент теплоизлучения от теплоотвода в окружающую среду,

R_Tn-c=(Tn-Tc)/Pк - тепловое сопротивление переход-среда.

Tc- температура окружающей среды (30°С),

Тn- температура p-n -перехода.

Для дюралюминия  s _T=1.5 мВт/см²°С.

1. Транзисторы VT12, VT13: КТ-817Б

Необходимо рассеять мощность 8.5 Вт. Tn =150°С

                

2. Транзисторы VT10: КТ-815, VT11: КТ-814Б

Необходимо рассеять мощность 2.1 Вт. Tn =125°С

                 

9. Технология изготовления печатных плат

Печатная плата представляет собой изоляционное основание с нанесёнными на него элементами печатного монтажа. К элементам печатного монтажа относятся: проводники, контактные площадки, зазоры, отверстия и т.д.

Печатная плата является несущим элементом. На ней размещаются навесные элементы (интегральные схемы и дискретные радиокомпоненты), разъёмы и другие детали. В качестве оснований печатных плат используют обычно листовые фольгированные материалы, которые представляют собой слоистый прессованный пластик (гетинакс или стеклотекстолит), облицованный с одной или двух сторон медной фольгой толщиной 0.035 или 0.05 мм. В радиоэлектронной аппаратуре и приборах в основном применяют фольгированный стеклотекстолит по ГОСТ 10316-62.

Существуют два вида конструкции печатных плат – однослойные и многослойные.

Как правило, однослойные печатные платы выполняются с двухсторонним монтажом – проводники располагаются с двух сторон. Переходы с одной стороны платы на другую осуществляются через металлизированные отверстия в ней.

В основе технологии изготовления двусторонних печатных плат (ДПП) лежит использование фольгированных диэлектриков.

В настоящее время для изготовления ДПП применяется комбинированный метод, который включает в себя два способа: негативный и позитивный.

Технологический процесс получения ДПП комбинированным негативным способом состоит из следующих этапов: получение заготовок и подготовка поверхности фольги, нанесение на плату защитного покрытия (фоторезиста), получение изображения печатных проводников экспонированием и проявлением, удаление незащищенных участков фольги травлением, удаление фоторезиста с проводников, нанесение на основание защитного поврытия, обработка отверстий, подлежащих металлизации, химическая металлизация отверстий, электролитическая металлизация отверстий и печатных проводников, покрытие печатных проводников сплавом олово-свинец, механическая обработка контура платы.

Технологический процесс получения ДПП комбинированным позитивным способом состоит из следующих этапов: получение заготовок и подготовка поверхности фольги, нанесение на плату защитного покрытия (фоторезиста), получение изображения печатных проводников экспонированием и проявлением, нанесение защитной лаковой плёнки, сверление отверстий и их химическое меднение, удаление защитной лаковой плёнки, электролитическое меднение отверстий и проводников, нанесение кислостойких сплавов, удаление фоторезиста, химическое травление фольги с пробельных мест, осветление проводящих покрытий, механическая обработка контура печатной платы.

В том случае, если ДПП не удовлетворяет требованиям, в частности не позволяет разместить большое число навесных элементов из-за малого объёма, применяют многослойные печатные платы (МПП).

Известно несколько способов изготовления МПП, однако все они имеют недостатки: большую стоимость и длительность проектирования, значительные затраты времени на изготовление, на налаживание производства, трудности внесения изменений.

Исходным документом при конструировании печатных плат является принципиальная электрическая схема. Для одной принципиальной схемы можно построить несколько вариантов топологии печатной платы, т.е. печатного монтажа.

10. СПЕЦИФИКАЦИЯ

10.1. Резисторы

Позиционное обозначение	Наименование	Количество
R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8, R9, R10, R11, R12, R13, R14, R15, R16, R17, R18, R19, R20, R21, R22, R23, R24, R28, R29,R30, R31, R32, R33, R34, R35, R41, R42, R43	МЛТ-0,125	35
R26, R39	МЛТ-0,25	2
R25, R36, R37, R38, R40	МЛТ-0,5	5
R27	МЛТ-1	1
R44	СП3-13	1

10.2. Конденсаторы

Позиционное обозначение	Наименование	Количество
C3, C8, C11	К53-1	3
C16, C17	К50-12	2
C1, C2, C4, C5, C6, C7, C9, C10, C12, C13, C14, C15, C18, C19	К50-16	14

10.3. Транзисторы

Позиционное обозначение	Наименование	Количество
VT1	КТ301Б	1
VT2, VT3, VT5, VT6, VT7, VT8	КТ315Б	6
VT4	КТ340Б	1
VT11	КТ814Б	1
VT10	КТ815Б	1
VT12, VT13	КТ817Б	2
VT9	КТ961Б	1

10.4. Стабилитроны

Позиционное обозначение	Наименование	Количество
VD1	КС515Г	1
VD2	КС212Ж	1
VD3	КС191С	1

11. КАРТА РЕЖИМОВ

11.1. Резисторы

Позиционное обозначение	Напряжение, В	Ток, А	Мощность, Вт	Номинальное сопротивление, Ом	Тип
R1	0.0179	0.000066	0.000001187	270	МЛТ-0,125
R2	0.0869	0.000054	0.0000047	1600	МЛТ-0,125
R3	13.55	0.0024	0.033	5600	МЛТ-0,125
R4	1.38	0.00203	0.0028	680	МЛТ-0,125
R5	12.13	0.00404	0.049	3000	МЛТ-0,125
R6	0.8	0.00444	0.0036	180	МЛТ-0,125
R7	0.71	0.0000866	0.00006	8200	МЛТ-0,125
R8	11.29	0.0000868	0.00098	130000	МЛТ-0,125
R9	0.0084	0.00000008	0.000000007	10000	МЛТ-0,125
R10	9.88	0.0021	0.021	4700	МЛТ-0,125
R11	0.0842	0.000077	0.00000645	1100	МЛТ-0,125
R12	1.499	0.000062	0.000097	24000	МЛТ-0,125
R13	10.285	0.0000935	0.00096	110000	МЛТ-0,125
R14	1.3	0.000072	0.000094	18000	МЛТ-0,125
R15	6.842	0.00311	0.0213	2200	МЛТ-0,125
R16	0.626	0.00313	0.00196	200	МЛТ-0,125
R17	2.627	0.000164	0.00043	16000	МЛТ-0,125
R18	6.473	0.000155	0.0004	43000	МЛТ-0,125
R19	0.0155	0.0000015	0.000000024	10000	МЛТ-0,125
R20	5.057	0.00389	0.0197	1300	МЛТ-0,125
R21	2.4255	0.000475	0.00115	5100	МЛТ-0,125
R22	6.6745	0.000445	0.00297	15000	МЛТ-0,125
R23	0.0445	0.00000445	0.000000198	10000	МЛТ-0,125
R24	5.23	0.01113	0.0582	470	МЛТ-0,125
R25	30	0.01	0.3	3000	МЛТ-0,5
R26	33	0.006	0.195	5600	МЛТ-0,25
R27	35.9	0.01908	0.716	1800	МЛТ-1
R28	1.32	0.0066	0.0087	200	МЛТ-0,125
R29	10.668	0.0067	0.07113	1600	МЛТ-0,125
R30	1.365	0.0015	0.00205	910	МЛТ-0,125
R31	2.145	0.00165	0.00354	1300	МЛТ-0,125
R32	2.4	0.015	0.036	160	МЛТ-0,125
R33	0.40452	0.02023	0.00818	20	МЛТ-0,125
R34	19.8	0.00165	0.03267	12000	МЛТ-0,125
R35	4.01516	0.02008	0.08061	200	МЛТ-0,125
R36	24.091	0.02008	0.48364	1200	МЛТ-0,5
R37	2.46683	0.13705	0.33807	18	МЛТ-0,5
R38	0.73388	0.40771	0.29921	1,8	МЛТ-0,5
R39	1.91865	0.10659	0.20451	18	МЛТ-0,25
R40	0.7766	0.43144	0.33506	1,8	МЛТ-0,5
R41	0.04	0.0018	0.000073	22	МЛТ-0,125
R42	0.366	0.001525	0.00056	240	МЛТ-0,125
R43	1.782	0.0002376	0.00042	7500	МЛТ-0,125
R44	2.043	0.001857	0.0038	1100	СП3-1

11.2. Конденсаторы

Позиционное обозначение		Ёмкость, мкФ		Расчетное напряжение, В		Тип	Номинальное напряжение, В
C1	220		1,49		К50-16		6.3
C2	150		0,18		К50-16		6.3
C3	0,33		8,41		К53-1		10
C4	150		1,41		К50-16		6.3
C5	47		9,88		К50-16		10
C6	47		3,858		К50-16		6.3
C7		150		0,624		К50-16	6.3
C8		0,33		1,3		К53-1	6.3
C9		100		1,416		К50-16	6.3
C10		47		5,057		К50-16	6.3
C11		0,68		6,63		К53-1	10
C12		100		1,44		К50-16	6.3
C13		330		5,23		К50-16	6.3
C14		330		1,365		К50-16	6.3
C15		47		2,4		К50-16	6.3
C16		3300		3,51		К50-12	6.3
C17		2200		0,40452		К50-12	6.3
C18		220		40,98484		К50-16	50
C19		330		20,0824		К50-16	25

11.3. Транзисторы

Позиционное обозначение	Uкэ, В	Uбэ, В	Iк, А	Iб, А	P, Вт	Тип
VT1	2.15	0.7	0.004034	0.0004034	0.009	КТ301Б
VT2	1.42	0.7	0.0000422	0.0000008	0.00006	КТ315Б
VT3	2.12	0.7	0.002108	0.0000422	0.0045	КТ315Б
VT4	4.54	0.7	0.031	0.0000312	0.014	КТ340Б
VT5	3.343	0.7	0.000076	0.0000016	0.00026	КТ315Б
VT6	4.043	0.7	0.00388	0.0000776	0.0157	КТ315Б
VT7	3.17	0.7	0.000227	0.0000045	0.00072	КТ315Б
VT8	3.87	0.7	0.1135	0.000227	0.0439	КТ315Б
VT9	20.559	0.7	0.015	0.00015	0.30838	КТ961Б
VT10	20.159	0.7	0.10152	0.005076	2.04646	КТ815Б
VT11	20.159	0.3	0.10152	0.005076	2.04646	КТ814Б
VT12	20.859	0.7	0.38068	0.025379	8.20386	КТ817Б
VT13	20.859	0.7	0.38068	0.025379	8.20386	КТ817Б

11.4. Стабилитроны

Позиционное обозначение		Расчетный ток, мА	Iст min, мА	Iст max, мА	Uст, В		Pст max, Вт		Тип
VD1	10		3	31	15	0.25		КС515Г
VD2	6		0.5	13	12	0.125		КС212Ж
VD3	19.08		3	20	9.1	0.25		КС191С

12. Список литературы

1.      Бочаров Л.Н. и др.

Расчёт электронных устройств на транзисторах/ Бочаров Л.Н., Жебряков С.К., Колесников И.Ф.–М.: Энергия,1978.

2.      Верховцев О.Г., Лютов К.П.

Практические советы мастеру-любителю: Электроника. Электротехника. Материалы и их применение.–3-е изд., перераб. и доп.–С.Пб.: Энергоатомиздат. Санкт-Петербург. Отд-ние, 1991.

3.      Крамнюк А.И.

Электроника и схемотехника: Учебное пособие. Ч 3-5.–Тюмень: ТюмГНГУ, 2001.

4.      Московкин Л.Н., Сорокина Н.Н.

Сборка электромеханических и радиотехнических приборов и систем: Учеб. пособ. пля сред. проф.-техн. училищ. – М.: Высш. шк.,1984.

5.      В помощь радиолюбителю: Сборник. Вып. 109/ Сост. И.Н. Алексеева.– М.: Патриот,1991.

6.      В помощь радиолюбителю: Сборник. Вып. 110/ Сост. И.Н. Алексеева.– М.: Патриот,1991.

7.      Методические указания по курсовому проектированию для студентов дневного и заочного обучения специальности «Автоматика и управление в технических системах» по курсу «Электроника и микросхемотехника» (часть1.Усилители мощности)./Сост. К.т.н., доцент Крамнюк А.И.–Тюмень:ТюмИИ,1988.

8.      Методические указания по курсовому проектированию для студентов дневного и заочного обучения специальности «Автоматика и управление в технических системах» по курсу «Электроника и микросхемотехника» (Расчёт предварительных каскадов)./Сост. К.т.н., доцент Крамнюк А.И.–Тюмень: ТюмИИ,1989.

9.      Транзисторы/ Чернышев А.А., Иванов В.И., Галахов В.Д. и др.; под общ. ред. А.А. Чернышева. – 2-е изд., перераб. и доп. – М.: Энергия, 1980.

 Министерство Образования РФ Тюменский Государственный Нефтегазовый Университет Курсовая работа по дисциплине: Электроника. Выполнил: студент гр. АиУ-01-4 Муфтахов Эльвир Асхатович Пров

 

• 14:21 05 Июля 2016
  Российско-китайский медуниверситет откроет магистерскую программу по TCM
• 01:21 05 Июля 2016
  На форуме МГУ Россия и Китай обсудят научно-образовательное сотрудничество
• 11:00 04 Июля 2016
  Реморенко: "ЕГЭ-туризм" в России сходит на нет
• 10:52 04 Июля 2016
  Летняя российско-австрийская школа откроется в Москве
• 15:31 01 Июля 2016
  В СПбГУ могут воссоздать географический факультет

Заказать уникальную работу