Министерство высшего образования РФ.

Уральский государственный университет – УПИ

Кафедра “Технология и средства связи”

Расчетно-графическая работа

Полупроводниковый диод

«КД213А»

Преподаватель: Болтаев А.В.

                                                               Студент: Черепанов К.А.

                                                               Группа: Р-207

Екатеринбург

2000

Аннотация

В данной работе в табличной форме приводятся паспортные параметры (электрические и предельные эксплуатационные) полупроводникового диода КД213А, семейство вольт-амперных характеристик (ВАХ) при различных температурах, расчетные соотношения R₌, r_~, C; расчитываются TKU_пр, TKI_обр (температурные коэффициенты), r_б (сопротивление базы). Приводится малосигнальная, высокочастотная эквивалентная схема исследуемого диода.

Содержание

1.   Краткая характеристика диода............................................ 4

2.   Паспортные параметры:....................................................... 4

2.1.     Электрические.......................................................... 4

2.2.     Предельные эксплуатационные............................... 4

3.   Вольт-амперная характеристика.......................................... 5

3.1.     При комнатной температуре.................................... 5

3.2.     При повышенной...................................................... 6

4.   Расчетные соотношения, таблицы и графики зависимостей для Т=25°С     6

5.   Определение величины TKUпрям TKIобр.......................... 6

6.   Определение сопротивления базы rб................................... 9

6.1.     Приближенное.......................................................... 9

6.2.     Точное....................................................................... 9

7.   Малосигнальная высокочастотная эквивалентная схема.. 10

8.   Библиографический список................................................ 10

9.   Затраты времени на:........................................................... 10

9.1.     Информационный поиск........................................ 10

9.2.     Расчеты................................................................... 10

9.3.     Оформление............................................................ 10

Краткая характеристика диода

   Диод кремниевый, диффузионный. Предназначен для  преобразования переменного напряжения частотой до 100 кГц. Выпускаются в  металлопластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов приводятся на корпусе. Отрицательный электрод соединен с металлическим основанием корпуса.

   Масса диода не более 4 г.

КД213А[1]

Рисунок 1

Паспортные параметры:

Электрические

    Постоянное прямое напряжение при  Iпр=10А, не более:

Т=+25°С………………………………………………………...………………………………1В

   Постоянный обратный ток при, не более:

Т=+25°С………………………………………………………...…………………………0,2мА

Время обратного восстановления при Uобр=20В, и Iпр, и=1А, и Iобр, и=0,1А:

КД213А…………………………………………………………...………………………300нс

Емкость диода, не более:

            при Uобр=100 В………………………………………...……………………550 пФ

            при Uобр=5 В………………………………………...……………………..1600 пФ

              

Предельные эксплуатационные

Постоянное (импульсное) обратное напряжение……………………..………200В

Постоянный (средний) прямой ток при  RТ(П-С)≤ 1,5°С/Вт ……..…..………10А

Импульсный  прямой ток при  tи≤ 10мс, Q≥1000………………...…………100А

Импульсный  обратный ток при температуре корпуса от 213 до 358 К при       tи≤ 20мкс,………………...……………………………………………………………………..10А

Частота без снижения электрических режимов……………………………100кГц

Тепловое сопротивление

                переход-среда: ……………………………….………………………………70К/Вт

          переход-корпус: ……………………………….……………………………1,5К/Вт

Температура перехода: ……………………………………………………...+140°С

Температура окружающей среды: ……………………………………….-60°С…+85°С

Общая таблица параметров

Предельные значения параметров при Т=25˚С							Tk max (Tпмах) [Тмах]˚С	Значения параметров при Т= 25˚С						R т п-к, ˚С/Вт
I пр, ср max А		Uобр, и, п мах, В	Uобр мах, В	Iпрг (Iпр, уд)мах, А		fмах, кГц		Uпр (Uпр, ср) [Uпр, и], В		tвос, обр (tвос, обр при  Tп мах), мкс			I обр(I обр, ср) [I обр, и, п, при Т п мах], мА
	Т˚С				tи(tпр), мс				Iпр (Iпр, ср) [Iпр, и], А		Iпр, и, А	Uпр, и, В
10	85	200	200	100	10	100	140	1	10	0,3	1	20	0,2	1,5

Вольт-амперная характеристика

При комнатной температуре

При повышенной

Расчетные соотношения, таблицы и графики зависимостей для Т=25°С

			Зависимость R= от Uпр
Uпр	0,6	0,7	0,8			0,9	1	1,1
R=	0,3	0,2333333	0,16			0,1125	0,090909	0,073333

			Зависимость r~ от Uпр
Uпр	0,1	0,2	0,3			0,4	0,5
r~	0,1	0,0666667	0,05			0,044444	0,038462

			Зависимость R= от Uобр
Uобр	50	100	150			200	250	300
R=	3571429	6666666,7	8333333			4878049	2777778	1304348

			Зависимость r~ от Uобр
Uобр	50	100	150			200	250
r~	50000000	25000000	5555556			2631579	1157407

			Зависимость Cдиф от Uпр
Uпр	0,6	0,7	0,8			0,9	1	1,1
Сдиф	0,08	0,12	0,2			0,32	0,44	0,6

Зависимост Сб  от Uобр

Определение величины TKUпрям TKIобр

Определение сопротивления базы rб

Приближенное

Точное

Малосигнальная высокочастотная эквивалентная схема

Библиографический список

1.    Диоды и их зарубежные аналоги: Справочник. В 3-х томах. /Хрулев А.К., Черепанов В.П.- Том 1-М.: ИП РадиоСофт, 1998-640с.

2.    Справочник по полупроводниковым диодам/ Бородин Б.А., Дроневич В.М., Егорова Р.В. и др.; под ред. И.Ф. Николаевского.—М.: Связь , 1979.– 432 с., ил.

3.    Диоды. справочник/ О.П. Григорьев, В.Я. Замятин, Б.В. Кондратьев, С.Л. Пожидаев.—М.: Радио и связь, 1990.—336 с.: ил.– (Массовая радиобиблиотека. Вып. 1158)

4.    Полупроводниковые приборы: Диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы. Справочник / А.В. Баюков, А.Б. Гитцевич, А.А. Зайцев и др.; Под общ. ред. Н.Н. Горюнова.–М.: Энергоиздат, 1982.– 744 с., ил.

5.    Лекции по курсу  «Физические Основы МикроЭлектронники»/ Черепанов К.А- под ред. Болтаев А.В. 2000.-50л.

Затраты времени на:

a)   Информационный поиск-72 часf

b)  Расчеты-1час (67 мин.)

c)   Оформление- 6 часов (357мин.)

---

[1] Зарубежный аналог КД213А - 1N1622 производства Sarkez Tarzian, США

Министерство высшего образования РФ. Уральский государственный университет – УПИ Кафедра “Технология и средства связи” Расчетно-графическая работа Полупроводниковый диод «КД213А»

 

• 14:21 05 Июля 2016
  Российско-китайский медуниверситет откроет магистерскую программу по TCM
• 01:21 05 Июля 2016
  На форуме МГУ Россия и Китай обсудят научно-образовательное сотрудничество
• 11:00 04 Июля 2016
  Реморенко: "ЕГЭ-туризм" в России сходит на нет
• 10:52 04 Июля 2016
  Летняя российско-австрийская школа откроется в Москве
• 15:31 01 Июля 2016
  В СПбГУ могут воссоздать географический факультет

Заказать уникальную работу